[发明专利]氧化铟类透明导电膜及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及透明导电膜及其制造方法，该透明导电膜为非晶态膜，通过弱酸蚀刻可容易制作布线图案、低电阻而且透射率高、并且容易结晶化。

背景技术

氧化铟-氧化锡(In₂O₃-SnO₂的复合氧化物，下面称作ITO)膜，由于可见光透射性高且导电性高，作为透明导电膜，可广泛用于液晶显示装置和防玻璃结露用发热膜、红外线反射膜等中，但存在的问题是难以制成非晶态膜。

另一方面，作为形成非晶态膜的膜，已知有氧化铟-氧化锌(IZO)透明导电膜，但该膜的透明性比ITO膜差，存在发黄的问题。

因此，本发明人在先曾提出，作为透明导电膜，在ITO膜中添加硅以规定的条件成膜的非晶态的透明导电膜(参见专利文献1)，但当添加硅时，存在有高电阻化倾向这样的问题。

专利文献1：特开2005-135649号公报(权利要求书)

发明内容

本发明鉴于上述情况，以提供一种透明导电膜及其制造方法作为课题，该透明导电膜为非晶态膜、通过弱酸蚀刻可容易制作布线图案、低电阻且透射率高，并且容易结晶化。

本发明为了解决上述课题反复进行各种研究的结果发现，添加了钡的氧化铟类透明导电膜，是电阻低、透明性优良的非晶态膜，通过弱酸蚀刻可容易制作布线图案并更容易结晶化，完成了本发明。

用于解决上述课题的本发明第1方案，涉及一种透明导电膜，其是采用具有氧化物烧结体的贱射靶成膜的透明导电膜，该氧化物烧结体含有氧化铟、根据需要含有锡，同时含有钡；其特征在于，含有氧化铟、根据需要含有锡，同时含有钡。

在该第1方案中，通过制成含钡的氧化铟类透明导电膜，可形成一种透明导电膜，其是低电阻的、透明性优良、成膜时为非晶态膜、可利用弱酸性蚀刻剂进行蚀刻。

本发明的第2方案是第1方案记载的透明导电膜，其特征在于，采用相对于1摩尔铟含有大于等于0.00001摩尔～小于0.10摩尔钡的溅射靶成膜。

在该第2方案中，通过添加规定量的钡，可以形成一种透明导电膜，特别地其是电阻低的、透明性优良的非晶态膜，可用弱酸性蚀刻剂进行蚀刻。

本发明的第3方案是第1或2方案记载的透明导电膜，其特征在于，采用相对于1摩尔铟含有0～0.3摩尔锡的溅射靶成膜。

在该第3方案中，形成以氧化铟为主体，并根据需要含有锡的透明导电膜。

本发明的第4方案是第1～3任一方案记载的透明导电膜，其特征在于，其电阻率为1.0×10^-4～1.0×10^-3Ωcm。

在该第4方案中形成具有规定电阻率的透明导电膜。

本发明的第5方案是第1～4任一方案记载的透明导电膜，其特征在于，作为非晶态膜成膜。

在该第5方案中，在成膜时为非晶态膜，可用弱酸蚀刻。

本发明的第6方案是第1～5任一方案记载的透明导电膜，其特征在于，作为非晶态膜成膜后，利用退火使其结晶化。

在该第6方案中，作为非晶态膜成膜后，可利用退火使其容易地结晶化并可赋予耐弱酸性。

本发明的第7方案是第6方案记载的透明导电膜，其特征在于，在100～400℃通过上述退火使其结晶化。

在该第7方案中，非晶态膜在100～400℃容易进行结晶化。

本发明的第8方案是第6或7方案记载的透明导电膜，其特征在于，通过上述退火使其结晶化后，波长400～500nm的平均透射率为85％以上。

在该第8方案中，结晶化后具有规定的平均透射率，透明性优良。

本发明的第9方案是第1～8任一方案记载的透明导电膜，其特征在于，相对于1摩尔铟的锡的摩尔比y是在大于等于(-2.9×10^-2Ln(x)-6.7×10^-2)的值、小于等于(-2.0×10^-1Ln(x)-4.6×10^-1)的值、除去y＝0的范围，其中，x表示相对于1摩尔铟的钡的摩尔比。

在该第9方案中，作为成膜的非晶态膜的电阻率达到最低的氧分压的最佳氧分压，与退火后的结晶化膜的电阻率达到最低电阻的氧分压(或在退火温度成膜时的最佳氧分压)不同，故可以在退火后达到低电阻的氧分压下形成非晶态膜，然后，通过进行退火，得到低电阻且透明性高的膜。另外，借此，可以使后工序中的耐腐蚀性或耐湿性、耐环境性提高。