[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

处理被处理体、能够真空排气的腔室；

在所述腔室内，载置被处理体的载置台；

配置在所述腔室的上部、用于开闭所述腔室的盖部；和

从处理气体供给源向所述腔室内供给生成等离子体的处理气体的 气体导入通路，

所述气体导入通路具有：

在所述腔室的壁内，由从所述腔室的下部向上方，在竖直方向上 形成在相互对角的位置上的多个气体通路构成的第一气体通路；

由连通所述第一气体通路，形成在所述盖部的横方向上的多个气 体导入路构成的第二气体通路；

形成在所述腔室和所述盖部之间，连通所述第一气体通路，向所 述第二气体通路供给所述处理气体的环状连通路；

连通所述气体导入路而形成的多个气体喷出口，和

气体均匀供给机构，该气体均匀供给机构包括一端经配置在所述 腔室的下方的多个气体导入口与所述第一气体通路连接，另一端与将 从所述处理气体供给源延伸出的气体供给管分支的分支部连接的多条 气体导入管，使得从所述处理气体供给源至各所述气体导入口的流路 长度相等。

2.一种等离子体处理装置，其特征在于：

包括：

处理被处理体、能够真空排气的腔室；

在所述腔室内，载置被处理体的载置台；

配置在所述腔室的上部、用于开闭所述腔室的盖部；和

从处理气体供给源向所述腔室内供给生成等离子体的处理气体的 气体导入通路，

所述气体导入通路具有：

在所述腔室的壁内，由从所述腔室的下部向上方，在竖直方向上 形成在相互对角的位置上的多个气体通路构成的第一气体通路；

由连通所述第一气体通路，形成在所述盖部的横方向上的多个气 体导入路构成的第二气体通路；

形成在所述腔室和所述盖部之间，连通所述第一气体通路，向所 述第二气体通路供给所述处理气体的环状连通路；和

连通所述气体导入路而形成的多个气体喷出口，

所述环状连通路形成在所述腔室和所述盖部的结合面，是由在所 述腔室的上端形成的台阶部和在所述盖部的下端形成的台阶部形成的 间隙。

3.一种等离子体处理装置，其特征在于：

包括：

处理被处理体、能够真空排气的腔室；

在所述腔室内，载置被处理体的载置台；

配置在所述腔室的上部、用于开闭所述腔室的盖部；和

从处理气体供给源向所述腔室内供给生成等离子体的处理气体的 气体导入通路，

所述气体导入通路具有：

在所述腔室的壁内，由从所述腔室的下部向上方，在竖直方向上 形成在相互对角的位置上的多个气体通路构成的第一气体通路；

由连通所述第一气体通路，形成在所述盖部的横方向上的多个气 体导入路构成的第二气体通路；

形成在所述腔室和所述盖部之间，连通所述第一气体通路，向所 述第二气体通路供给所述处理气体的环状连通路；和

连通所述气体导入路而形成的多个气体喷出口，

所述环状连通路形成在所述腔室和所述盖部的结合面，是由在所 述腔室的上端形成的沟槽和所述盖部的下端面形成的间隙。