[发明专利]成膜方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种成膜方法，是在处理室内，在被处理基板上形成钛膜或钛化合物膜的成膜方法，其特征在于，具有：

在所述被处理基板上形成硅化钛膜的硅化钛膜形成工序；和

在所述硅化钛膜上形成钛膜的钛膜形成工序，

所述硅化钛膜形成工序中，多次重复下述工序：

向所述处理室导入钛化合物气体，使所述钛化合物气体吸附于所述被处理基板的表面的第一工序；

停止向所述处理室导入所述钛化合物气体，除去残留在所述处理室内的所述钛化合物气体的第二工序；和

向所述处理室导入氢气，并在所述处理室内生成等离子体，对吸附于所述被处理基板的含硅表面的所述钛化合物气体进行还原，同时使其与所述含硅表面的硅反应，形成硅化钛膜的第三工序，

所述钛膜形成工序中，多次重复下述工序：

将所述钛化合物气体和所述氢气导入所述处理室，并在所述处理室内生成等离子体，在所述被处理基板上形成钛膜的第四工序；和

维持所述等离子体，并停止向所述处理室导入所述钛化合物气体，对所述钛膜进行等离子体退火的第五工序。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述第三工序中不向所述处理室导入氩气。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述硅化钛膜形成工序和所述钛膜形成工序中，将所述被处理基板的温度调整为450℃以下。

4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述第一工序中，向所述处理室导入所述钛化合物气体和氢气，在所述第二工序中，向所述处理室继续导入该氢气。

5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

在所述钛膜形成工序中，至少在所述处理室内形成等离子体的期间，向所述处理室导入氩气。

6.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

还具有在所述钛膜上形成氮化钛膜的氮化钛膜形成工序，

所述氮化钛膜形成工序中，多次重复下述工序：

向所述处理室导入所述钛化合物气体和所述氢气，并在所述处理室内生成等离子体，在所述被处理基板上形成钛膜的第六工序；

停止向所述处理室导入所述钛化合物气体，除去残留在所述处理室内的所述钛化合物气体的第七工序；和

向所述处理室导入氮化合物气体，并在所述处理室内生成等离子体，对所述钛膜进行氮化的第八工序。

7.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于：

在所述氮化钛膜形成工序中，将所述被处理基板的温度调整在450℃以下。

8.如权利要求6所述的成膜方法，其特征在于：

在所述氮化钛膜形成工序中，至少在所述处理室内形成等离子体的期间，向所述处理室导入氩气。

9.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述钛化合物气体为TiCl₄气体。

10.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：

所述氮化合物气体为NH₃气体。