[发明专利]硅单晶提拉装置

权利要求书

1.硅单晶提拉装置，该硅单晶提拉装置具有：存放硅熔融液的 坩埚、将上述坩埚加热的加热器、使上述坩埚旋转和/或升降的坩埚驱 动装置、容纳上述坩埚和加热器的容器、设于上述容器的外侧并对该 容器外加磁场的磁场外加装置；其特征在于：

上述磁场外加装置是将至少两个磁体线圈沿着箱的圆弧变形，以 相对的状态组装到环状的箱内形成的水平磁场磁体，沿上述容器的外 周面形成大致环状，包围上述容器，可形成相对于上述坩埚的中心轴 大致呈同心圆状的等磁线。

2.权利要求1的硅单晶提拉装置，其中，上述磁场外加装置沿 上述容器的外周面形成，可以外加磁场，由存放在上述坩埚内的硅熔 融液的熔融液面向上述坩埚的底部使磁场强度递增、或者使磁场强度 递减。

3.权利要求2的硅单晶提拉装置，其中，磁场强度由存放在上 述坩埚内的硅熔融液的熔融液面向上述坩埚的底部递增或递减时，磁 场强度的变动范围设定为：通过上述磁场外加装置外加到上述容器内 的磁场的最强强度的0.6倍-0.9倍的范围。