[发明专利]用复合盖改善硅化物形成的空气断开

权利要求书

1.一种自对准硅化物形成方法，包括以下步骤：

在硅本体上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成保护层；

将所述保护层的顶面暴露于空气一段时间；

在所述保护层的所述顶面上形成第二金属层；和

执行退火，以在所述硅本体上形成有拉伸应力的硅化物区，

其中所述硅本体包括n型场效应晶体管的多晶硅栅极导体，以及所述有拉伸应力的硅化物区压缩所述多晶硅栅极导体，以优化所述晶体管的性能。

2.权利要求1所述的方法，其中将所述保护层暴露于空气的步骤改变了在执行所述退火期间由所述保护层和所述第二金属层施加在所述第一金属层上的机械应力。

3.权利要求1所述的方法，其中形成的所述第二金属层比所述保护层厚1至5倍。

4.权利要求1至3中任一所述的方法，其中形成的所述保护层的厚度是所述第一金属层的厚度的1/3。

5.一种自对准硅化物形成方法，包括以下步骤：

在硅本体上形成金属层；

在所述金属层上形成氮化钛层；

将所述氮化钛层的顶面暴露于空气一段时间；

在所述氮化钛层的所述顶面上形成镍层；和

执行退火，以在所述硅本体上形成有拉伸应力的硅化物区，

其中所述硅本体包括n型场效应晶体管的多晶硅栅极导体，并且所述有拉伸应力的硅化物区压缩所述多晶硅栅极导体，以优化所述晶体管的性能。

6.权利要求5所述的方法，其中将所述氮化钛层暴露于空气的步骤改变了在执行所述退火期间由所述氮化钛层和所述镍层施加在所述金属层上的机械应力。

7.权利要求5所述的方法，其中形成的所述镍层的比所述氮化钛层厚1至5倍。

8.权利要求5至7中任一所述的方法，其中形成的所述氮化钛层的厚度是所述金属层的厚度的1/3。

9.一种自对准硅化物形成方法，包括以下步骤：

在硅本体和邻近绝缘体上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成保护层；

将所述保护层的顶面暴露于空气一段时间；

在所述保护层的所述顶面上形成第二金属层，其中所述第一金属层、所述保护层和所述第二金属层形成为具有预先选择的组合厚度，以最小化在所述硅本体和所述邻近绝缘体之间的不均匀结处累积的机械能；和

执行退火，以在所述硅本体上形成有拉伸应力的硅化物区，

其中所述硅本体包括n型场效应晶体管的多晶硅栅极导体，并且所述有拉伸应力的硅化物区压缩所述多晶硅栅极导体，以优化所述晶体管的性能。

10.权利要求9所述的方法，其中将所述保护层暴露于空气的步骤改变了在执行所述退火期间由所述保护层和所述第二金属层施加在所述第一金属层上的机械应力。

11.权利要求9所述的方法，其中形成的所述第二金属层比所述保护层厚1至5倍。

12.权利要求9至11中任一所述的方法，其中形成的所述保护层的厚度是所述第一金属层的厚度的1/3。

13.一种在硅本体上形成硅化物区的结构，所述结构包括：

在所述硅本体上的第一金属层；

在所述第一金属层上的保护层，其中所述保护层具有污染的顶面；和

附着于所述污染的顶面的第二金属层，其中作为对所述结构应用退火的结果，在所述硅本体上形成有拉伸应力的硅化物区，

其中所述硅本体包括n型场效应晶体管的多晶硅栅极导体，并且所述有拉伸应力的硅化物区压缩所述栅极导体，以优化所述晶体管的性能。

14.权利要求13所述的结构，其中所述污染的顶面改变了在所述退火期间由所述保护层和所述第二金属层施加在所述第一金属层上的机械应力。

15.权利要求13所述的结构，其中所述第二金属层比所述保护层厚1至5倍。

16.权利要求13至15中任一所述的结构，其中所述保护层的厚度是所述第一金属层的厚度的1/3。