[发明专利]半导体发光元件、照明装置和半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：

支撑基板(1)；

在所述支撑基板上形成的第一共晶合金层(2a)；

在所述第一共晶合金层上形成的第二共晶合金层(2b)；

在所述第二共晶合金层上形成的第三共晶合金层(2c)；和

在所述第三共晶合金层上形成的包括发光层(3d)的半导体元件层(3)，

所述第二共晶合金层的熔点低于所述第一共晶合金层和所述第三共晶合金层的熔点，

在所述半导体元件层的侧面隔着绝缘层(4)形成有所述第三共晶合金层。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述第二共晶合金层的热膨胀系数大于所述第一共晶合金层和所述第三共晶合金层的热膨胀系数。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述第一共晶合金层、所述第二共晶合金层和所述第三共晶合金层分别包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金中的至少任一个。

4.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述第一共晶合金层、所述第二共晶合金层和所述第三共晶合金层由Au-Sn合金构成，

所述第二共晶合金层的Sn的含有率大于所述第一共晶合金层和所述第三共晶合金层的Sn含有率。

5.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于：

所述第一共晶合金层和第三共晶合金层由Au-Ge合金构成，

所述第二共晶合金层由Au-Sn合金构成。 

6.一种照明装置，其具备半导体发光元件，其特征在于：

该半导体发光元件包括：

支撑基板(1)；

在所述支撑基板上形成的第一共晶合金层(2a)；

在所述第一共晶合金层上形成的第二共晶合金层(2b)；

在所述第二共晶合金层上形成的第三共晶合金层(2c)；和

在所述第三共晶合金层上形成的包括发光层(3d)的半导体元件层(3)，

所述第二共晶合金层的熔点低于所述第一共晶合金层和所述第三共晶合金层的熔点

在所述半导体元件层的侧面隔着绝缘层(4)形成有所述第三共晶合金层。

7.如权利要求6所述的照明装置，其特征在于：

所述第二共晶合金层的热膨胀系数大于所述第一共晶合金层和所述第三共晶合金层的热膨胀系数。

8.如权利要求6所述的照明装置，其特征在于：

所述第一共晶合金层、所述第二共晶合金层和所述第三共晶合金层分别包含Au-Sn合金、Au-Ge合金和Au-Si合金中的至少任一个。

9.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：

形成包括发光层(3d)的半导体元件层(3)的工序；

在支撑基板(1)和所述半导体元件层之间，从所述支撑基板一侧开始依次配置第一共晶合金层(2a)、第二共晶合金层(2b)和第三共晶合金层(2c)的工序；和

通过加热，隔着所述半导体元件层的电极与所述第一共晶合金层、所述第二共晶合金层和所述第三共晶合金层，对所述半导体元件层和所述支撑基板进行接合的工序，

所述第二共晶合金层的熔点低于所述第一共晶合金和所述第三共 晶合金层的熔点，

对所述半导体元件层和所述支撑基板进行接合的工序的加热温度在所述第二共晶合金层的熔点以上，并且不到所述第一共晶合金层和所述第三共晶合金层的熔点，

配置所述第一共晶合金层、所述第二共晶合金层和所述第三共晶合金层的工序包括：在所述半导体元件层的侧面隔着绝缘层形成所述第三共晶合金层的工序。