[发明专利]用于制造具有界面帽结构的末层铜到C4连接的方法有效
| 申请号： | 200780001812.6 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101361174A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | T·H·道本斯佩克;W·F·兰德斯;D·S·祖潘斯基－尼尔森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 界面 结构 末层铜到 c4 连接 方法 | ||
1.一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：
提供半导体器件，所述半导体器件包括嵌入在末层介质层(20)中的末层铜互连；
形成界面导电帽结构(30)，所述界面导电帽结构(30)选择性地覆盖所述末层铜互连(22)，其中所述界面导电帽结构(30)包括CoWP、NiMoP、NiMoB、NiReP、NiWP及其组合；
在所述界面导电帽结构(30)和所述末层介质层(20)之上形成第一介质帽层(32)；
在所述第一介质帽层(32)之上形成至少一个附加的介质帽层；
形成通过所述第一介质帽层(32)和所述至少一个附加的介质帽层的过孔以暴露所述界面导电帽结构(30)；
在所述界面导电帽结构(30)之上的所述过孔中形成至少一个球限冶金(BLM)层(70)；以及
在所述至少一个BLM层之上形成至少一个可控塌陷芯片连接(C4)。
2.根据权利要求1的方法，其中所述界面导电帽结构(30)基本上是无铝的。
3.根据权利要求1的方法，其中所述界面导电帽结构(30)包括厚度为到的CoWP层。
4.根据权利要求1的方法，其中在所述第一介质帽层(32)中嵌入所述界面导电帽结构(30)。
5.根据权利要求1的方法，其中所述第一介质帽层(32)包括氮化硅并且厚度为到
6.根据权利要求1的方法，其中所述末层铜互连(22)、所述界面导电帽结构(30)、所述至少一个BLM层(70)、以及所述至少一个C4连接形成这样的导电通路，所述导电通路延伸通过所述第一介质帽层(32)和所述至少一个附加的介质帽层。
7.根据权利要求1的方法，其中在所述第一介质帽层(32)之上形成至少三个附加的介质帽层，所述至少三个附加的介质帽层包括二氧化硅层、氮化硅层、以及光敏聚酰亚胺层。
8.根据权利要求1的方法，其中所述末层铜互连(22)包括宽线。
9.根据权利要求1的方法，其中所述末层介质层(20)包括氟硅玻璃。
10.根据权利要求1的方法，其中通过选择性无电镀敷形成所述界面导电帽结构(30)。
11.根据权利要求1的方法，其中这样形成所述过孔：通过首先选择性地去除所述至少一个附加的介质帽层的一部分以暴露所述第一介质帽层(32)，然后选择性地去除所述第一介质帽层(32)的所述暴露的部分，在所述界面导电帽结构(30)处停止。
12.根据权利要求11的方法，其中通过预BLM溅射清洁方法选择性地去除所述第一介质帽层(32)的所述部分。
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