[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，具有：

工作区域，形成在化合物半导体衬底上；

栅极电极，形成在上述工作区域上；

源极电极及漏极电极，夹着上述栅极电极而交替形成在上述工作区域上；

接合焊盘，用于与外部电路连接；及

空中桥，具有与上述源极电极或上述漏极电极连接的电极连接部、与上述接合焊盘连接的焊盘连接部、及将上述电极连接部及上述焊盘连接部之间连接的空中布线部；

在将上述焊盘连接部、上述空中布线部和上述电极连接部被连接的方向作为长度方向时，宽度方向上的上述电极连接部的剖面面积小于等于上述空中布线部的剖面面积，上述电极连接部的宽度比上述源极电极或上述漏极电极窄。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，在各个上述空中桥的宽度方向的剖面，上述电极连接部的剖面面积和上述源极电极或上述漏极电极的剖面面积之和大于等于上述空中布线部的剖面面积。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，上述空中桥具有Au层。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，上述化合物半导体衬底是GaAs衬底。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，夹着多个上述栅极电极而设置多个上述源极电极及漏极电极。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，上述接合焊盘由源极焊盘、漏极焊盘、栅极焊盘构成，上述源极电极与上述源极焊盘连接，上述漏极电极与上述漏极焊盘连接，上述栅极电极与上述栅极焊盘连接。

7.如权利要求6所述的场效应晶体管，其特征在于，上述源极焊盘、上述漏极焊盘或上述栅极焊盘分别与多个上述源极电极、多个上述漏极电极或多个栅极电极连接。

8.一种场效应晶体管，其特征在于，具有：

工作区域，形成在化合物半导体衬底上；

栅极电极，形成在上述工作区域上；

源极电极及漏极电极，夹着上述栅极电极而交替形成在上述工作区域上；

接合焊盘，用于与外部电路连接；及

空中桥，具有与上述源极电极或上述漏极电极连接的电极连接部、与上述接合焊盘连接的焊盘连接部、及将上述电极连接部及上述焊盘连接部之间连接的空中布线部；

在将上述焊盘连接部、上述空中布线部和上述电极连接部被连接的方向作为长度方向时的上述电极连接部的宽度，比上述空中布线部、及上述源极电极或上述漏极电极的宽度窄。

9.如权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，上述电极连接部的宽度为上述空中布线部的宽度的40％以上60％以下。

10.如权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，上述空中桥具有Au层。

11.如权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，上述化合物半导体衬底是GaAs衬底。

12.如权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，夹着多个上述栅极电极而设置多个上述源极电极及漏极电极。

13.如权利要求8所述的场效应晶体管，其特征在于，上述接合焊盘由源极焊盘、漏极焊盘、栅极焊盘构成，上述源极电极与上述源极焊盘连接，上述漏极电极与上述漏极焊盘连接，上述栅极电极与上述栅极焊盘连接。

14.如权利要求13所述的场效应晶体管，其特征在于，上述源极焊盘、上述漏极焊盘或上述栅极焊盘分别与多个上述源极电极、多个上述漏极电极或多个栅极电极连接。