[发明专利]金属线之间的自对准沟槽的集成

权利要求书

1.一种在集成电路的金属线(22)之间形成多个气腔沟槽的方法，包括：

局部去除(42)沉积在半导体互连结构表面上的路径间电介质层，以控制所述半导体互连结构表面的金属线的上表面和所述路径间电介质层的表面之间的高度；

利用共形沉积工艺，在所述半导体互连结构表面上沉积(44)电介质衬垫；

利用定向蚀刻工艺去除(46)所述半导体互连结构表面上的至少部分所述电介质衬垫；

如果需要的话，连续重复(48)所述电介质衬垫的沉积步骤和所述半导体互连结构表面上的至少部分所述电介质衬垫的去除步骤，并根据需要重复多次，以使所述互连结构表面上剩余的电介质衬垫达到期望的宽度；以及

通过利用所述互连结构表面上的剩余的电介质衬垫作为蚀刻掩膜选择性地对所述路径间电介质材料进行蚀刻，从而在所述金属线之间形成(50)至少一个气腔沟槽。

2.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述电介质衬垫的步骤包括利用化学气相沉积工具或等离子体增强化学气相沉积工具沉积所述电介质衬垫。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中去除所述半导体互连结构表面上的至少部分所述电介质衬垫的步骤包括利用反应离子独刻技术对所述电介质衬垫进行蚀刻。

4.如权利要求1或2所述的方法，包括在之后的形成通路的过程中，将所述互连结构表面上剩余的电介质衬垫作为用于所述金属线上的通路平台的平台垫。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中所述金属线包括自对准势垒。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中局部去除沉积在所述半导体互连结构表面上的路径间电介质层、以控制所述半导体互连结构表面的金属线的上表面和所述路径间电介质层的表面之间的高度的步骤基于金属线之间的所述气腔沟槽的期望宽度。

7.如权利要求1或2所述的方法，进一步包括，在去除至少部分所述电介质衬垫的步骤之前，控制沉积在所述互连结构表面上的所述电介质衬垫的水平高度。

8.如权利要求7所述的方法，其中控制沉积在所述互连结构表面上的所述电介质衬垫的水平高度的步骤是基于金属线之间的所述气腔沟槽的期望宽度而实现的，

9.如权利要求1或2所述的方法，进一步包括将所述互连结构表面上剩余的电介质衬垫作为用于在所述集成电路中形成通路的蚀刻终止层。

10.一种根据权利要求1所述的方法制造的半导体装置，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的路径间电介质层(26)；

在所述半导体衬底上形成的金属线(22)；以及

在所述金属线之间形成的至少一个气腔(27)；

其中，所述半导体装置进一步包括沉积在所述半导体互连结构表面上的电介质衬垫(32)，以用于将所述气腔沟槽(27)和所述金属线隔开。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其中所述互连结构表面上的所述电介质衬垫(32)作为用于所述传导材料上的通路平台的平台垫。

12.如权利要求10或11所述的半导体装置，其中所述金属线由扩散势垒层(24)包围而与所述路径间电介质材料隔开。

13.如权利要求10或11所述的半导体装置，其中所述金属线包括自对准势垒(25)。