[发明专利]导体浆料、多层陶瓷基板以及多层陶瓷基板的制造方法无效
申请号: | 200780002880.4 | 申请日: | 2007-01-23 |
公开(公告)号: | CN101371624A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 池田初男;市川耕司 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导体 浆料 多层 陶瓷 以及 制造 方法 | ||
1.一种导体浆料,其是填充到通过多个陶瓷生片的层叠以及烧成而形成的多层陶瓷基板的通孔中的浆料,
含有平均粒径为3μm以下的Ag粉末88~94质量%和Pd粉末0.1~3质量%,所述导体浆料中的所述Ag粉末以及所述Pd粉末的总含有率为88.1~95质量%。
2.如权利要求1所述的导体浆料,其特征在于,
所述Pd粉末的平均粒径相对于所述Ag粉末的平均粒径之比为0.03~1。
3.如权利要求1或者2所述的导体浆料,其特征在于,
不含玻璃成分。
4.一种多层陶瓷基板,其通过多个陶瓷生片的层叠以及烧成而得到,在内部形成有导电图案以及通道导体,
所述通道导体形成在烧成后的孔径为150μm以下的通孔内,其含有粒径为25μm以上的Ag晶粒,且具有10%以下的空隙率。
5.如权利要求4所述的多层陶瓷基板,其特征在于,
粒径为25μm以上的Ag晶粒在所述通道导体中的面积率为5~50%。
6.如权利要求4或者5所述的多层陶瓷基板,其特征在于,
所述Ag晶粒具有12~20μm的平均粒径。
7.如权利要求4~6中任意一项所述的多层陶瓷基板,其特征在于,
所述空隙的当量圆直径为15μm以下。
8.如权利要求4~7中任意一项所述的多层陶瓷基板,其特征在于,
所述通道导体由权利要求1~3中任意一项所述的导体浆料构成。
9.一种多层陶瓷基板的制造方法,其中对形成有导电图案和/或通道导体的多个陶瓷生片进行层叠,使含有在所述陶瓷生片的烧结温度下不会烧结的无机粒子和有机物的限制用生片、与所述陶瓷生片的层叠体的上面和/或下面密接后进行烧成,随后除去所述限制用生片部,
向通孔内填充权利要求1~3中任意一项所述的导体浆料。
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