[发明专利]SOI晶片的制造方法及SOI晶片

权利要求书

1.一种SOI晶片的制造方法，是针对在基底晶片上已形成氧化膜与SOI 层的SOI晶片的SOI层上，使磊晶层生长增厚SOI层的SOI晶片的制造方法， 其特征为：

使用设置在上述SOI层侧的加热光源进行单面加热，由此，通过分别调 节上述氧化膜的厚度与上述SOI层的厚度，以使上述磊晶层生长的SOI晶片 的磊晶生长开始时的加热光的波长域中的表面反射率，成为30％以上80％以 下的方式，来进行磊晶生长。

2.如权利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其中，使上述磊晶层生长 的SOI晶片，是将氢离子、稀有气体离子或这些的混合气体离子，从结合晶 片的表面进行离子注入，于晶片内部形成离子注入层，然后使该结合晶片的 离子注入侧的表面与基底晶片的表面，隔着氧化膜而密着，接着，施加热处 理，以该离子注入层作为劈开面，使结合晶片薄膜状地分离而制作。