[发明专利]用于在半导体装置中形成额外金属布线的系统和方法

权利要求书

1.一种在包含存储器阵列和外围阵列的半导体装置中形成额外金属布线的方法，所述方法包含：

在所述存储器阵列和所述外围阵列中的至少一者中形成多个晶体管，其中在所述晶体管的每一者上方形成氮化物罩；

蚀刻选定氮化物罩的一部分以保留所述选定氮化物罩的至少部分材料；以及

在所述选定氮化物罩的所述蚀刻掉部分中沉积金属膜以形成额外金属布线，其中所述保留的所述选定氮化物罩的至少部分材料隔离该额外金属布线与所述晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含遮蔽所述外围晶体管的将不通过所述蚀刻步骤进行蚀刻的部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在所述外围晶体管上形成包含金属布线的金属层，其中所述金属布线的部分与所述额外金属布线电接触。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属膜包含钨。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述额外金属布线平行于所述外围晶体管中的至少一者的埋入式数字线。

6.根据权利要求5所述的方法，其中将所述额外金属布线电耦合到所述埋入式数字线的至少两个部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮化物罩每一者具有大约1500埃的厚度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻使所述选定氮化物罩凹陷大约500埃。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻使所述选定氮化物罩在100到1000埃的范围内凹陷。

10.根据权利要求2所述的方法，其中将所述额外金属布线电连接到所述金属布线的两个部分以便在所述两个部分之间形成跨接线。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置包含DRAM。

12.一种半导体装置，其包含：

半导体衬底，其具有上部表面；

多个电子装置，其形成在所述半导体衬底上，所述多个电子装置包括至少多个晶体管，其中所述多个晶体管包括在所述衬底的所述上部表面上方延伸的栅极堆叠；

栅极导体，其使所述多个晶体管的所述栅极堆叠互连，其中所述栅极导体由保护性隔离结构环绕；

整体绝缘层，其覆盖所述衬底、所述多个电子装置和所述栅极导体；

至少一个导体层，其具有形成在其中以使所述多个电子装置中的选定的电子装置互连的多个导电元件，其中所述导电层形成在所述整体绝缘层中以便定位在所述多个电子装置上方；以及

多个补充导电元件，其形成在所述栅极导体的所述保护性隔离结构中，其中所述保护性隔离结构的一部分隔离该多个补充导电元件与所述栅极导体；其中所述多个补充导电元件选择性耦合到所述多个导电元件，以便在无需增加所述至少一个导体层中所述导电元件的密度的情况下在所述多个电子装置之间提供额外互连。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述导电元件包含一个或一个以上金属。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述保护性隔离结构包含氮化物材料。

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述补充导电元件包含一个或一个以上金属。

16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述补充导电元件在所述至少一个导电层中的导电元件之间形成跨接线。

17.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述补充导电元件的至少一部分平行于所述多个晶体管中的至少一者的埋入式数字线。

18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中将所述补充导电元件的所述至少一部分电耦合到所述埋入式数字线的至少两个部分。

19.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述保护性隔离结构具有大约1500埃的厚度。

20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中使所述保护性隔离结构在大约100到1000埃的范围内凹陷，并在所述保护性隔离结构的所述凹陷部分中形成所述补充导电元件。

21.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述半导体装置包含DRAM。