[发明专利]焊料合金、焊球及使用了它们的焊料接合部有效
申请号: | 200780003115.4 | 申请日: | 2007-01-15 |
公开(公告)号: | CN101374630A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 藤吉优;伊达正芳 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | B23K35/26 | 分类号: | B23K35/26;C22C13/00;H05K3/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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搜索关键词: | 焊料 合金 使用 它们 接合部 | ||
技术领域
本发明涉及在电子部件等的钎焊中使用的焊料合金、焊球及焊料接合 部。
背景技术
近年来,随着移动电话等移动办公设备的安装面积的减少,半导体封 装也具有小型化的倾向,在母板上连接半导体封装的安装方式从使用目前 的引线的外围端子型向格子状地形成电极端子的类型演变。代表的电极端 子为BGA(Ball Grid Array),其电极使用成形为球状的焊料(即焊球)与 母板连接。
在半导体封装中,施加各种外力,而作为移动办公设备特有的外力, 可以举出降落冲击。有时是在一边使用移动办公设备一边移动时,有时因 不注意可能会出现脱落。在现有的外围端子型封装中,通过引线变形能够 缓解这种外力。另一方面,在BGA的情况下,由于不经由引线而通过焊 球直接与母板接合,因此,为了不损坏半导体封装及母板,焊料接合部必 须吸收外力。其结果是,受到降落冲击负荷时的焊料接合可靠性对于提高 移动办公设备的寿命变得极为重要。
另一方面,作为致力于以EU的RoHS(The restriction of the use of certain hazardous substances)指令为代表的近年的环境问题之一种,焊料 的无Pb化在世界上正在推进,且正在禁止目前已使用的Sn-Pb共晶焊料 的使用。作为代替焊料的主要的合金可以举出Sn-3Ag-0.5Cu(质量%) 及Sn-3.5Ag-0.75Cu(质量%)这样的Sn基合金。Sn的融点为232℃,与 之相对,通过添加Ag及Cu,可以将其融点降至220℃,由此,可以降低 钎焊温度从而抑制半导体组件的热损伤。但是,因为Sn中的Ag及Cu与 Sn形成金属间化合物而使焊料硬化,所以,与目前的Sn-Pb共晶焊料相 比较韧性不足。其结果是,存在移动设备掉落时,在焊料接合界面容易破 断这一重大问题,对于耐降落冲击性优越的Pb游离焊料的需要迅速地增 强。
作为改善焊料接合部的耐冲击性的方法,可以认为有下面的二种。一 种为改善焊料的韧性而提高变形能力,通过降低焊料中的Ag及Cu的含 量而进行。作为合金元素的添加量,在Sn中通过添加0.35质量%的Ag、 0.75质量%的Cu来得到融点最低的共晶组成。但是,为了降低融点有必 要Ag比Cu更大量地添加,这就存在使焊料硬化这一问题。因此,在专 利文献1及专利文献2中,通过使用不含Ag或含有微量的Ag的Sn-Cu 合金,实施焊料的机械特性的改善。
作为另外一种方法,可以认为是改善焊料接合界面的强度。例如,在 专利文献1中告知,在Ni上焊接Cu为0.7质量%以上的Sn-Cu合金时, 在接合界面上形成的Cu-Ni-Sn化合物没有自Ni剥离,而得到稳定的焊 接。另外,在专利文献1中明确,在Cu电极上接合含有大量Cu的焊料的 情况下,可以抑制Cu电极的腐蚀,从而改善接合强度。
另外,作为改善接合强度的其它方法,如在专利文献3中所公开,提 出在Sn-Ag-Ni系焊料中,含有Ag:0.5~5.5质量%,Cu:0.3~1.5质 量%,Ni:0.05~1.0质量%,余量由Sn及不可避免的杂质组成的焊料合 金,该焊料通过与Ni电极接合而形成不规则的层的界面化合物,通过该 层实现固定效果,从而抑制界面的破断发生概率,改善接合强度。在专利 文献3中通过包含Ag:1.0质量%,Cu:0.5质量%,Ni:0.1质量%,且 余量由Sn及不可避免的杂质组成的焊料合金,具体地确认其效果。
专利文献1:(日本)特开平11-221695号公报
专利文献2:(日本)特开2000-190090号公报
专利文献3:(日本)特开2003-230980号公报
这样,Sn-Cu合金比Sn融点更低,不仅具有可以抑制焊接时的半导 体封装的热损伤,而且,还具有在与Ni电极及Cu电极焊接的情况下,显 示出稳定的接合强度这一优点。
然而,得知专利文献1及2的Sn-Cu系合金中,在Cu含量高的Sn -Cu合金与Ni接合的情况下,当由于半导体封装的发热等,而长时间在 高温下曝露时,Cu-Ni-Sn化合物厚地成长,反而损坏接合强度。
另外,在Sn-Cu合金中,在添加了不损坏耐冲击性的程度的微量的 Ag的焊料合金中,虽然在高温环境下能够抑制Cu-Ni-Sn化合物的成长, 但是无法得到稳定的接合强度。
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