[发明专利]压力传感器封装体和电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及压力传感器封装体和电子器件。

本申请根据2006年1月19日在日本申请的特愿2006-10961号和2006年9月21日在日本申请的特愿2006-256003号，主张优先权，并在这里引用其内容。

背景技术

作为使用半导体衬底的压力传感器(以下，也称作半导体压力传感器)，例如可列举出图11所示的压力传感器。该半导体压力传感器100具有从半导体衬底101的背面侧进行蚀刻而形成的薄壁的隔膜102、在半导体衬底101的表面侧形成的4个应变片(gauge)电阻103。4个应变片电阻103电连接成惠斯通电桥。如果隔膜102受到压力而弯曲，则各应变片电阻103就产生与隔膜102的挠曲量对应的应力，应变片电阻103的电阻值随该应力而变化。通过把该电阻值变化作为电信号取出，半导体压力传感器100进行压力的检测(例如，参照专利文献1的图5)。

这样的半导体压力传感器如图12所示那样形成封装体(package)后，用于通常的使用。即、压力传感器封装体200必须且必然具有筐体204，该筐体204包括由绝缘体构成的基座201和具有压力导入口202的由树脂构成的盖体203。在筐体204的内部空间中，具有以下构造：压力传感器205(100)置于基座201上，通过接合引线(wirebond)206与导线207电连接。根据这样的构造，构成压力传感器封装体200的压力传感器205(100)通过导线207与设置在筐体204的外部的、例如未图示的放大电路和补偿电路连接。

专利文献1：日本特开2002-340714号公报

发明内容

可是，在以往的压力传感器封装体中至少存在以下2个课题。

(1)对于在上述筐体内设置压力传感器的结构的封装体，即使实现了压力传感器的小型化，由于筐体自身依然是原来的尺寸，所以也难以直接实现封装体自身的小型化。

(2)在制造所述结构的封装体时，在半导体衬底上制作多个压力传感器，为了单独利用压力传感器而芯片化后，需要把各芯片形成封装体。因此，制造步骤增多，封装体的制造成本增大，所以难以实现低成本化。

本发明就是鉴于所述事情而提出的，其目的之一在于，实现具有压力传感器的功能的晶片级封装体，由此提供小型、低成本的压力传感器封装体。此外，通过搭载这样的压力传感器封装体，提供小型、轻量的电子器件。

本发明的第一形态(aspect)是一种压力传感器封装体，具有：压力传感器，在半导体衬底的一面，在其中央区域的内部具有与该一面大致平行扩展的空间，并以位于该空间的上部的薄板化了的区域为隔膜部，在该隔膜部配置有压敏元件，在所述一面，至少具有第一导电部，该第一导电部配置在除了所述隔膜部之外的外缘区域，并且与所述压敏元件电连接；以及第一凸起，单独配置在所述第一导电部之上，并且与所述第一导电部电连接；其特征在于：当将所述外缘区域的半导体衬底的厚度定义为D1，所述隔膜部的厚度定义为D2，所述空间的高度定义为D3，在所述中央区域，除了所述D2和所述D3之外的半导体衬底的剩余部分的厚度定义为D4时，(D2+D3)为5～20μm，并且D1≈D4，D1为200μm以上。

本发明的第二形态是一种压力传感器封装体，具有：压力传感器，在半导体衬底的一面，在其中央区域的内部具有与该一面大致平行扩展的空间，位于该空间的上部的薄板化了的区域为隔膜部，在该隔膜部配置有压敏元件，在所述一面，至少具有第一导电部，该第一导电部配置在除了所述隔膜部之外的外缘区域，并且与所述压敏元件电连接；第一绝缘部，设置成覆盖所述外缘区域；第二导电部，配置在该第一绝缘部之上，并且单独与所述第一导电部电连接；第二凸起，配置在该第二导电部之上，并且在不与所述第一导电部重叠的位置单独与该第二导电部电连接；其特征在于：当将所述外缘区域的半导体衬底的厚度定义为T1，所述隔膜部的厚度定义为T2，所述空间的高度定义为T3，在所述中央区域，除了所述T2和所述T3之外的半导体衬底的剩余部分的厚度定义为T4时，(T2+T3)为5～20μm，并且T1≈T4，T1为200μm以上。

本发明的第三形态是在第二形态中，具有第二绝缘部，该第二绝缘部设置成只使所述第二凸起露出，且覆盖包含所述第二导电部的所述外缘区域。

本发明的第四形态是在第二形态中，具有第二绝缘部，该第二绝缘部设置成：以只使所述第二凸起露出，且覆盖所述第二导电部的方式与所述第一绝缘部重叠；所述第一绝缘部、第二绝缘部的至少一方配置在呈岛状的所述第二凸起的周围。