[发明专利]混合尺度电子接口

权利要求书

1.一种纳米尺度与微米尺度混合接口，包括：

主要微米尺度层(302，308)，其表面具有规则地图案化的引线(304， 310)；以及

主要纳米尺度层(306，312，314，316)，包括有序排列的衬垫互 连的纳米线单元(307，313)，其中每个衬垫互连的纳米线单元(307， 313)包括以相反方向发出两条纳米线(208，210)的衬垫(206)，衬 垫互连的纳米线单元(307)的第一衬垫(306)位于主要微米尺度层的 第一引线(304)之上，以通过位于第二引线之上、并且通过导电纳米 线结(318)连接到所述第一衬垫互连的纳米线单元的衬垫互连的纳米 线单元(313)，将该第一引线电互连到第二引线(310)，

其中主要纳米尺度层包括第一子层，该第一子层包含布置为以固定 的重复距离使衬垫定中心于平行的行线(402)上的衬垫互连的纳米线 单元(307，313)，其中每个衬垫互连的纳米线单元相对于行线旋转固 定角度θ(406)；并且

其中中心位于行线上的衬垫互连的纳米线单元(307，313)的纳米 线(208，210)形成平行的、紧密间隔的纳米线束。

2.如权利要求1所述的纳米尺度与微米尺度混合接口，

其中衬垫互连的纳米线单元的引线(304，310)和衬垫(306，312) 具有亚微米尺度或微米尺度的尺寸。

3.如权利要求1所述的纳米尺度与微米尺度混合接口，

其中主要纳米尺度层包括第二子层，该第二子层包含衬垫互连的纳 米线单元(307，313)，布置为以固定的重复距离使衬垫定中心于平行 的行线(404)上，其中每个衬垫互连的纳米线单元相对于行线旋转固 定角度θ(406)，该第二子层的行线取向为大致垂直于第一子层的行 线；

其中第一和第二子层的衬垫互连的纳米线单元的衬垫，位于主要微 米尺度层的引线(304，310)上，其中第一子层的衬垫互连的纳米线单 元的衬垫布置为形成第一直线网格的网格点，第二子层的衬垫互连的纳 米线单元的衬垫布置为形成第二直线网格的网格点，该第二直线网格与 第一直线网格偏移开，使得第二子层的衬垫互连的纳米线单元的每个衬 垫，位于第一直线网格单元的中心；并且

其中位于第一子层和第二子层衬垫互连的纳米线单元之间的交叉 处的纳米线结(318)被选择性地配置为互连成对的引线。

4.一种集成电路，包括如权利要求1所述的纳米尺度与微米尺度 混合接口，其中在主要微米尺度层(302，308)中具有另外的微米尺度 或亚微米尺度逻辑元件和功能组件。

5.一种制作纳米尺度与微米尺度混合接口的方法，该方法包括：

提供衬底(702)，其表面具有规则地图案化的导电引线；

通过纳米压印在衬底之上制作第一纳米尺度子层(718，719，720)， 其由衬垫互连的纳米线单元的规则图案构成，衬垫互连的纳米线单元的 衬垫位于衬底的引线之上，其中所述衬垫互连的纳米线单元(307，313) 被布置为以固定的重复距离使衬垫定中心于平行的行线(402)上，并 且其中使每个衬垫互连的纳米线单元相对于行线旋转固定角度θ，并使 得中心位于行线上的衬垫互连的纳米线单元(307，313)的纳米线(208， 210)形成平行的、紧密间隔的纳米线束；以及

通过纳米压印在第一纳米尺度子层之上制作第二纳米尺度子层，其 中衬垫互连的纳米线单元的衬垫位于衬底的引线之上。