[发明专利]形成场效晶体管的方法及形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法

权利要求书

1.一种形成场效应晶体管的方法，其包含：

在衬底的半导电材料上方形成掩蔽材料；

形成穿过所述掩蔽材料且进入所述半导电材料中的沟槽；

在所述半导电材料中的所述沟槽内形成栅极介电材料；

在所述掩蔽材料中的所述沟槽内及所述栅极介电材料上方的所述半导电材 料中的所述沟槽内沉积栅极材料；

使所述栅极材料凹入以在所述掩蔽材料中的沟槽内接纳一平坦的最外部表 面，所述平坦的最外部表面完全穿过所述掩蔽材料中的沟槽；

在使所述栅极材料凹入之后至少移除大部分所述掩蔽材料；及

形成源极/漏极区域。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述掩蔽材料包含接纳于氮化硅上方的 二氧化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成至少大部分所述栅极介电材料包含 对所述沟槽内的所述半导电材料进行热氧化。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述栅极材料的所述沉积使用所述栅极 材料至少填充所述掩蔽材料中的所述沟槽及所述半导电材料中的所述沟槽。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述栅极材料的所述沉积使用所述栅极 材料过度填充所述掩蔽材料中的所述沟槽及所述半导电材料中的所述沟槽。

6.如权利要求1所述的方法，其中在所述衬底的所述半导电材料内形成所 述源极/漏极区域。

7.如权利要求1所述的方法，在沉积所述栅极材料之后没有对所述栅极材 料进行光刻图案化。

8.如权利要求1所述的方法，其中沉积所述栅极材料的步骤使用所述栅极 材料覆盖所述掩蔽材料，且包含相对于所述掩蔽材料有选择地移除所述栅极材料 且暴露所述掩蔽材料以有效地隔离所述掩蔽材料中的所述沟槽与所述半导电材 料中的所述沟槽内的所述栅极材料。

9.一种形成场效应晶体管的方法，其包含：

在衬底的半导电材料上方形成掩蔽材料，所述掩蔽材料包含外部绝缘材料层 及内部绝缘材料层，相对于所述内部绝缘材料层有选择地蚀刻所述外部绝缘材料 层；

形成穿过所述掩蔽材料且进入所述半导电材料中的沟槽；

在所述半导电材料中的所述沟槽内形成栅极介电材料；

在所述掩蔽材料中的所述沟槽内及所述栅极介电材料上方的所述半导电材 料中的所述沟槽内沉积栅极材料；

使所述掩蔽材料中的所述沟槽内的所述栅极材料凹入，在所述凹入后，所述 栅极材料具有在所述掩蔽材料中的所述沟槽内接纳的平坦的最外部表面，所述平 坦的最外部表面完全穿过所述掩蔽材料中的所述沟槽；

使用其组成与所述内部绝缘材料层的组成相同的第一绝缘材料帽盖所述掩 蔽材料内的所述沟槽内的所述凹入的栅极材料；

相对于所述内部绝缘材料层及接纳于所述凹入栅极材料上方的所述帽盖绝 缘材料有选择地蚀刻所述外部绝缘材料层；

在蚀刻所述外部绝缘材料层之后，沉积其组成与所述内部绝缘材料层相同的 第二绝缘材料；

各向异性地蚀刻所述组成与所述内部绝缘材料层的组成相同的所述第二绝 缘材料，以有效地围绕所述栅极材料形成绝缘侧壁间隔层；及

形成源极/漏极区域。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述外部绝缘材料层厚于所述内部绝缘 材料层。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述外部绝缘材料层接触所述内部绝缘 材料层。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述外部绝缘材料层是所述掩蔽材料的 最外部材料。

13.如权利要求9所述的方法，其进一步包含接纳于所述内部绝缘材料层内 部的另一绝缘材料层。

14.如权利要求9所述的方法，其中所述外部绝缘材料层包含二氧化硅且所 述内部绝缘材料层包含氮化硅。

15.如权利要求9所述的方法，其中所述外部绝缘材料层包含氮化硅且所述 内部绝缘材料层包含二氧化硅。