[发明专利]高单元密度沟槽MOSFET中的不同台面尺寸

权利要求书

1.一种沟槽栅功率MOSFET器件，包括：

多个第一单元，具有大的台面尺寸，所述大的台面尺寸 足以进行重体蚀刻，所述多个第一单元中的每个均具有沟槽栅 极区、源极区、体区和重体接触区，使用重体蚀刻体区的一部 分形成所述第一单元；

多个第二单元，具有小的台面尺寸，所述小的台面尺寸 足以使沟槽密度最大，所述多个第二单元中的每个均具有沟槽 栅极区、源极区、体区和重体接触区，所述小的台面尺寸窄于 所述大的台面尺寸，所述多个第二单元不是使用所述重体蚀刻 形成的。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，使用所述重体蚀刻来控制 所述多个第一单元的体二极管击穿电压。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，使用沟槽的宽度来控制所 述多个第一单元的体二极管击穿电压。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，使用期望的关断电流规格 来确定所述多个第一单元中的单元数量。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，使用期望的导通电阻来确 定所述多个第二单元中的单元数量。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，利用最小设计准则确定所 述第二单元间距。

7.一种沟槽栅功率MOSFET器件，包括：

第一沟槽栅极；

第二沟槽栅极，位于距离所述第一沟槽栅极第一距离的 位置处；

第三沟槽栅极，位于距离所述第二沟槽栅极第二距离的 位置处；

第一台面区，具有第一体区和第一源极区，并在所述第 一沟槽栅极和所述第二沟槽栅极之间延伸，所述第一台面区还 包括凹陷的体接触区；以及

第二台面区，具有第二体区和第二源极区，并在所述第 二沟槽栅极和所述第三沟槽栅极之间延伸，所述第二台面区还 包括非凹陷的体接触区；

其中，所述第一距离大于所述第二距离。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，使用重体蚀刻处理所述第 一体区；以及

不使用重体蚀刻处理所述第二体区。

9.一种沟槽栅功率MOSFET器件，包括：

多个第一单元，具有大的台面尺寸，所述大的台面尺寸 足以进行重体蚀刻，所述多个第一单元中的每个均具有沟槽栅 极区、源极区、体区和重体接触区；以及

多个第二单元，具有小的台面尺寸，所述小的台面尺寸 足以使沟槽密度最大，所述小的台面尺寸窄于所述大的台面尺 寸，所述多个第二单元中的每个均具有沟槽栅极区、源极区、 体区和重体接触区。

10.根据权利要求9的器件，其中：

使用重体蚀刻处理所述多个第一单元；以及

不使用重体蚀刻处理所述多个第二单元。