[发明专利]半导体发光装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200780003900.X 申请日: 2007-01-22
公开(公告)号: CN101375421A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 神井康宏;丹羽爱玲;佐藤纯治;田岛未来雄 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 闫小龙;王忠忠
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体发光装置的制造方法,其特征在于,

具有如下步骤:

准备硅衬底,该硅衬底具有一个及另一个主面,并且,包括从所述一个主面的第一部分形成到预定深度的n型硅半导体层、和包围所述n型半导体层的p型半导体部分;

在所述硅衬底的所述一个主面上外延生长含有III族元素的第一导电型化合物半导体,形成第一导电型化合物半导体层,并且在所述第一导电型化合物半导体层上外延生长第二导电型化合物半导体,形成第二导电型化合物半导体层,得到主半导体区域,同时使所述第一导电型化合物半导体层的III族元素从所述硅衬底的所述一个主面向所述硅衬底中热扩散得比所述n型硅半导体层浅,得到p型硅半导体层;

除去所述主半导体区域的一部分,使所述硅衬底的所述一个主面的所述第一部分露出;

在所述硅衬底的所述一个主面的所述第一部分形成沟槽,将所述p型硅半导体层分割为配置在所述n型硅半导体层上的第一部分、和与所述第一部分电隔离的第二部分,并且,使所述p型硅半导体层的所述第一部分与所述n型硅半导体层之间的pn结的端部、及所述硅衬底的p型半导体部分与所述n型硅半导体层之间的pn结的端部在所述沟槽露出;

形成第一电极,该第一电极与在所述硅衬底的所述一个主面的第二部分上残存的所述主半导体区域的所述第二导电型化合物半导体层和所述p型硅半导体层的所述第一部分连接;

形成与所述硅衬底的所述p型半导体部分连接的第二电极。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置的制造方法,其特征在于,

在形成所述主半导体区域的步骤中还包括如下步骤:

在所述第一导电型化合物半导体层或n型化合物半导体层和所述第二导电型化合物半导体层或p型化合物半导体层之间形成活性层。

3.一种半导体发光装置的制造方法,其特征在于,

具有如下步骤:

准备具有一个及另一个主面的n型硅衬底;

在所述硅衬底的所述一个主面上外延生长含有III族元素的n型化合物半导体,形成n型化合物半导体层,并且在所述n型化合物半导体层上外延生长p型化合物半导体,形成p型化合物半导体层,得到主半导体区域,同时使所述n型化合物半导体层的III族元素从所述硅衬底的所述一个主面热扩散到预定深度,得到p型硅半导体层;

除去所述主半导体区域的一部分及所述p型硅半导体层的一部分,使与所述硅衬底的所述p型硅半导体层相邻接的n型半导体部分露出;

除去所述p型化合物半导体层的一部分,使所述n型半导体层的一部分露出;

形成与所述p型化合物半导体素层和所述硅衬底的n型半导体部分连接的第一电极;

形成与所述n型化合物半导体层连接的第二电极。

4.如权利要求3所述的半导体发光装置的制造方法,其特征在于,

在形成所述主半导体区域的步骤中还包括如下步骤:

在所述第一导电型化合物半导体层或n型化合物半导体层和所述第二导电型化合物半导体层或p型化合物半导体层之间形成活性层。

5.一种半导体发光装置的制造方法,其特征在于,

具有如下步骤:

准备具有一个及另一个主面的n型硅衬底;

在所述硅衬底的所述一个主面上外延生长含有III族元素的第一导电型化合物半导体,形成第一导电型化合物半导体层,并且在所述第一导电型化合物半导体层上外延生长第二导电型化合物半导体,形成第二导电型化合物半导体层,得到主半导体区域,同时使所述第一导电型化合物半导体层的III族元素从所述硅衬底的所述一个主面扩散到预定深度,得到p型硅半导体层;

除去所述主半导体区域的一部分,使所述p型硅半导体层的一部分露出;

在所述硅衬底的所述p型硅半导体层形成沟槽,将所述p型硅半导体层分割为具有露出表面的第一部分、和与所述第一部分电隔离并且与所述第一导电型化合物半导体层相邻接的第二部分;

除去所述第二导电型化合物半导体层的一部分,使所述第一导电型化合物半导体层的一部分露出;

形成与所述第二导电型化合物半导体层和所述p型硅半导体层的所述第一部分连接的第一电极;

形成与所述第一导电型化合物半导体层连接的第二电极。

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