[发明专利]In焊锡包覆铜箔带状导线及其连接方法有效
申请号: | 200780003954.6 | 申请日: | 2007-01-30 |
公开(公告)号: | CN101375412A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 田泽健一 | 申请(专利权)人: | 昭和砚壳石油株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/04;C23C2/14;C22C28/00;B23K35/26;G02F1/1345 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | in 焊锡 铜箔 带状 导线 及其 连接 方法 | ||
1.一种In焊锡包覆的铜箔带状导线,其特征在于,仅在长条带状的铜箔或镀锡铜箔的一面上包覆In焊锡、或在一面包覆In焊锡而在除了该一面之外的其他部分包覆比该一面薄的In焊锡而成,上述In焊锡的组成是由In以及Ag构成,In占100~90重量%、Ag占10~0重量%,该In焊锡包覆的铜箔带状导线用于连接CIS系薄膜太阳电池电路彼此之间、或连接该CIS系薄膜太阳电池电路与其他电气元件,该CIS系薄膜太阳电池电路是通过导电图案将在玻璃基板上依次层叠金属背面电极层、碱性势垒层、光吸收层、缓冲层、窗层而得到的CIS系薄膜太阳电池器件部电连接而成的,上述金属背面电极层由Mo构成。
2.根据权利要求1所述的In焊锡包覆的铜箔带状导线,其特征在于,上述长条带状的铜箔或镀锡铜箔的厚度为300μm以下,上述一面的In焊锡厚度为100μm以下。
3.一种CIS系薄膜太阳电池组件的铜箔带状导线的连接方法,该方法用于连接CIS系薄膜太阳电池电路彼此之间、或连接该CIS系薄膜太阳电池电路与其他电气元件,该CIS系薄膜太阳电池电路是通过导电图案将在玻璃基板上依次层叠金属背面电极层、碱性势垒层、光吸收层、缓冲层、窗层而得到的CIS系薄膜太阳电池器件部电连接而成的,上述金属背面电极层由Mo构成,其特征在于,仅在长条带状的铜箔或镀锡铜箔的一面上包覆In焊锡、或在一面包覆In焊锡而在除了该一面之外的其他部分包覆比该一面薄的In焊锡,使上述In焊锡包覆的铜箔带状导线的包覆相对较厚一面的In焊锡包覆面与金属背面电极层相接触地将该In焊锡包覆的铜箔带状导线载置在露出来的金属背面电极层上,将超声波钎焊烙铁压接到上述In焊锡包覆的铜箔带状导线的上表面上,使上述In焊锡熔融,从而将上述In焊锡包覆的铜箔带状导线连接于上述金属背面电极层上,上述长条带状的铜箔或镀锡铜箔的厚度为300μm以下,上述In焊锡的组成是由In以及Ag构成,In占100~90重量%,Ag占10~0重量%,上述一面的In焊锡厚度为100μm以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的