[发明专利]集成型光隔离器

权利要求书

1.一种集成型光隔离器，在化合物半导体衬底上设置半导体波导层、在上述半导体波导层的一部分形成半导体激光器、在另一部分形成光隔离器，其特征在于，在有上述半导体激光器的半导体波导层的有源层上部设置激光电流注入电极，在上述半导体激光器的两侧，在上述光隔离器的反向传输光输出波导路径输出端上设置终端吸收层。

2.根据权利要求1所述的集成型光隔离器，其特征在于，上述终端吸收层中，上述半导体波导层起光吸收层作用，上述终端吸收层的上部设置了半导体包层。

3.一种集成型光隔离器，在化合物半导体衬底上设置半导体波导层、在上述半导体波导层的一部分形成半导体激光器、在另一部分形成光隔离器，其特征在于，在上述光隔离器的反向传输光输出波导路径输出端中的上述半导体波导层上及半导体激光器上，设置半导体包层及绝缘层，并在其上设置激光电流注入电极，将上述光隔离器的反向传输光输出波导路径输出端上的上述半导体波导层作为终端吸收层，上述绝缘层设置在上述半导体波导层中作为终端吸收层的部分上。

4.根据权利要求3所述的集成型光隔离器，其特征在于，上述激光电流注入电极只设置在半导体激光器部上。

5.根据权利要求3所述的集成型光隔离器，其特征在于，上述激光电流注入电极设置在半导体激光器部上及终端吸收层的一部分或全体上。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的集成型光隔离器，其特征在于，上述绝缘层由SiO₂形成。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的集成型光隔离器，其特征在于，上述绝缘层由Al₂O₃形成。

8.一种集成型光隔离器，在化合物半导体衬底上设置半导体波导层、在上述半导体波导层的一部分形成半导体激光器、在另一部分形成光隔离器，其特征在于，在上述光隔离器的反向传输光输出波导路径输出端上设置半导体包层，在发光波导路径上设置激光电流注入电极，将上述光隔离器的反向传输光输出波导路径输出端的上述半导体包层下的半导体波导层作为终端吸收层。

9.根据权利要求6所述的集成型光隔离器，其特征在于，在有上述激光电流注入电极的部分与设置在上述光隔离器的反向传输光输出波导路径输出端的终端吸收层之间，设置分离部。

10.一种集成型光隔离器的制造方法，在化合物半导体衬底上设置半导体波导层、在上述半导体波导层的一部分形成半导体激光器、在另一部分形成光隔离器，其特征在于，上述光隔离器的半导体波导层由两步生长形成，即，在形成了上述半导体激光器的各层之后，只除去上述光隔离器的区域，上述光隔离器的部分由另外的结晶生长工序进行再生长。

11.一种集成型光隔离器的制造方法，所述集成型光隔离器在化合物半导体衬底上设置半导体波导层、在上述半导体波导层的一部分形成半导体激光器、在另一部分形成光隔离器，所述制造方法的特征在于，使用选择生长法，在形成半导体激光器各层的结晶生长工序的同时，形成光隔离器的半导体波导层。