[发明专利]用于大基片上沉积的磁控管源

权利要求书

1.一种用来在沉积系统中靠近靶表面产生磁场的磁控管源，其包 含：

第一磁体，其形成第一闭合环路；

第二磁体，其形成第二闭合环路，其中所述第一闭合环路与所述 第二闭合环路基本上平行，其中所述第二闭合环路沿着第一方向与 所述第一闭合环路通过间隙隔开；所述第一方向基本上垂直于所述 第一闭合环路；

一个或多个靶托，其被配置来保持处于所述第一磁体和所述第二 磁体之间的间隙中的第一靶和第二靶，其中所述靶包括溅射表面， 由此靶材料可以被溅射和沉积到基片的两个相对表面上，并且其中 将靶托如此配置以使得所述溅射表面基本上平行于所述第一方向并 且所述第一磁体和所述第二磁体能够靠近所述靶的表面产生磁场； 以及

传送机构，其被配置为使所述基片移动并穿过所述第一闭合环路 和所述第二闭合环路，从而使所述基片的不同区域接收所述靶的溅 射表面所溅射的材料；其中所述传送机构被配置为使所述基片的两 个相对表面分别朝向不同的所述溅射表面。

2.权利要求1的磁控管源，其中所述第一磁体和所述第二磁体包 含相反的磁极性。

3.权利要求1的磁控管源，其中所述第一磁体和所述第二磁体中 的至少之一包括电导体线圈或电磁体。

4.权利要求1的磁控管源，其中所述第一磁体和所述第二磁体被 配置来产生基本上平行于所述溅射表面的磁通线。

5.权利要求1的磁控管源，其中所述靶包含两个或多个部分，每 个部分含有能够被溅射和沉积到所述基片上的相同或不同的材料。

6.权利要求1的磁控管源，其中所述环路包含基本上矩形形状， 并且其中靶可以沿着该矩形的每个边放置在所述第一磁体和所述第 二磁体之间。

7.权利要求1的磁控管源，其中靶托被配置来保持靶，其在所述 第一磁体和所述第二磁体之间的间隙中形成基本闭合的环路。

8.一种用来在沉积系统中靠近靶表面产生磁场的磁控管源，其包 含：

形成第一闭合环路的第一磁体；

形成第二闭合环路的第二磁体，其中所述第二闭合环路沿着第一 方向与所述第一闭合环路通过间隙隔开，以及其中所述第一磁体和 所述第二磁体包含相反的磁极性；所述第一方向基本上垂直于所述 第一闭合环路；

一个或多个靶托，其被配置来保持在所述第一磁体和所述第二磁 体之间的间隙中的一个或多个靶，其中每个靶包含溅射表面，由此 靶材料可以被溅射和沉积到基片的两个相对表面上，并且其中将靶 托如此配置以使得所述溅射表面基本上平行于所述第一方向并且所 述第一磁体和所述第二磁体能够靠近一个或多个靶的表面产生磁 场；并且将所述一个或多个靶托如此配置以使得所述一个或多个靶 在所述第一闭合环路和所述第二闭合环路之间形成第三闭合环路； 以及

传送机构，其被配置为使所述基片移动并穿过所述第一闭合环路 和所述第二闭合环路，从而使所述基片的不同区域接收所述靶的溅 射表面所溅射的材料；其中所述传送机构被配置为使所述基片的两 个相对表面分别朝向不同的所述溅射表面。

9.权利要求8的磁控管源，其中所述第一闭合环路和所述第二闭 合环路基本上形成矩形形状。

10.权利要求9的磁控管源，其中所述第一闭合环路的矩形基本 上平行于所述第二闭合环路的矩形。

11.权利要求8的磁控管源，其中靶托被配置来沿着所述第一闭 合环路或所述第二闭合环路中的矩形的每个边保持在所述第一磁体 和所述第二磁体之间的一个或多个靶。

12.权利要求8的磁控管源，其中所述第一磁体和所述第二磁体 中的至少之一包括电导体线圈或电磁体。

13.权利要求8的磁控管源，其中所述靶包含两个或多个部分， 每个部分含有能够被溅射和沉积到所述基片上的不同材料。