[发明专利]驻极体电容器类型复合传感器

权利要求书

1.一种驻极体电容器类型复合传感器，包含驻极体电容器和半导体元件，所述半导体元件具有放大和输出从所述驻极体电容器得到的信号的功能，所述驻极体电容器类型复合传感器根据所述驻极体电容器的静电电容变化来检测预定物理量并具有光检测功能，其中:

所述半导体元件具有光电转换部，当光传导至所述光电转换部时通过光电转换产生电信号，且所述电信号与由于所述驻极体电容器的静电电容变化产生的电信号有区别地从所述半导体元件输出。

2.如权利要求1所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中音孔的至少一部分与所述半导体元件的光电转换部交叠，所述音孔用于将声传导至构成所述驻极体电容器的振动板。

3.如权利要求1或2所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中所述振动板是由透光性材料形成，且光通过所述音孔和振动板传导至所述半导体元件的光电转换部。

4.如权利要求1所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中所述半导体元件安装在安装基板上，所述安装基板的至少一部分是由透光性材料形成，以及所述半导体元件的光电转换部布置成接收从所述安装基板的由透光性材料形成的部分入射的光。

5.如权利要求3所述的驻极体电容器类型复合传感器，还包括透光性过滤器，其中光通过所述过滤器、音孔和振动板入射到所述半导体元件的光电转换部内。

6.如权利要求1所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中所述半导体元件的光电转换部包括遮光性过滤器，从而防止除了来自所述安装基板的由透光性材料形成的部分的光以外的光。

7.如权利要求1至6之一所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中所述半导体元件为以裸芯片方式安装在所述安装基板上的驻极体电容器类型复合传感器。

8.如权利要求1至6之一所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中所述半导体元件为以下述方式形成的驻极体电容器类型复合传感器，所述半导体元件的至少一部分是通过透光性材料形成的模制材料模制形成。

9.如权利要求1所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中构成所述驻极体电容器的振动板的至少一部分是由透光性材料形成。

10.如权利要求1所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中所述驻极体电容器是由微机电系统芯片构成。

11.如权利要求10所述的驻极体电容器类型复合传感器，其中所述半导体元件集成在构成所述微机电系统芯片的基板上。