[发明专利]半导体器件以及将卤素并入电介质的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极电介质；

将所述栅极电介质暴露到包括卤素的等离子体；

将所述卤素并入所述栅极电介质中；

在所述栅极电介质上形成栅电极；以及

邻近所述栅电极形成电流电极区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述将所述栅极电介质暴露 到包括卤素的等离子体的步骤包括：将所述栅极电介质暴露到包括氟 的等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述栅极电介质步 骤的至少一部分与将所述栅极电介质暴露到包括卤素的所述等离子体 的步骤同时发生。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极电介质的方法 包括：形成包括硅和氧的电介质。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极电介质的方法 包括：形成包括金属的电介质。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将所述栅极电介质暴露到氮；以及

将所述氮并入所述栅极电介质中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述将所述栅极电介质暴露 到氮的步骤发生在将所述栅极电介质暴露到包括卤素的等离子体的步 骤之后。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述将所述栅极电介质暴露 到氮的步骤发生在将所述栅极电介质暴露到包括卤素的等离子体的步 骤之前。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述将所述栅极电介质暴露 到氮的步骤包括：将所述栅极电介质暴露到包括氮的等离子体。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述将所述栅极电介质暴露 到包括氮的等离子体步骤的至少一部分与所述将所述栅极电介质暴露 到包括卤素的等离子体步骤的至少一部分同时发生。

11.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极电介质；

将卤素并入所述栅极电介质中；

将氮并入所述栅极电介质中；

在所述栅极电介质上形成栅电极；以及

邻近所述栅电极形成电流电极区。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述将卤素并入所述栅极 电介质中的步骤包括：将氟并入所述栅极电介质中。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述将卤素并入所述栅极 电介质中的步骤包括：将所述栅极电介质暴露到包括氟的等离子体。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述将氮并入所述栅极电 介质中的步骤包括：将所述栅极电介质暴露到包括氮的等离子体。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述将氮并入所述栅极电 介质中的步骤包括：在包括氮的环境中退火所述栅极电介质。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述形成所述栅极电介质 步骤的至少一部分与将所述卤素并入所述栅极电介质的步骤同时发 生。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述将所述卤素并入所述 栅极电介质的步骤发生在将氮并入所述栅极电介质的步骤之前。

18.根据权利要求11所述的方法，其中所述将所述卤素并入所述 栅极电介质步骤的至少一部分与所述将氮并入所述栅极电介质中步骤 的至少一部分同时发生。

19.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述形成栅电极是在将所述栅极电介质暴露到氮之前形成；以及

将氮并入所述栅极电介质的步骤包括：

将所述氮注入到所述栅电极中；以及

将所述氮从所述栅电极扩散至所述栅极电介质。

20.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上的栅极电介质，其中所述栅极电介质包括卤 素和氮；

在所述栅极电介质上的栅电极；以及

邻近所述栅电极的电流电极区。