[发明专利]用于连接双导线全双工总线和双向单导线总线的电平移动多路复用电路无效

专利信息
申请号: 200780004988.7 申请日: 2007-02-07
公开(公告)号: CN101379705A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 约翰·飞利浦·泰勒 申请(专利权)人: 京瓷无线公司
主分类号: H03K19/185 分类号: H03K19/185;G06F13/40
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 余朦;王艳春
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 连接 导线 双工 总线 双向 电平 移动 多路复用 电路
【权利要求书】:

1.一种用于连接双导线全双工总线与单导线双向半双工总线的 电平移动多路复用电路,其中,所述双导线全双工总线参考第一电源 电压,所述单导线双向半双工总线参考第二电源电压,所述电路包括:

第一开关电路,其配置为连接双导线全双工总线的接收导线和单 导线双向总线并具有第一开关电压阈值,当连接到所述单导线双向总 线的第一栅极电压超过所述第一开关电压阈值时,所述第一开关电路 使得所述接收导线具有低逻辑电平;

第二开关电路,其配置为连接所述双导线全双工总线的发送导线 和所述单导线双向总线,所述第二开关电路被配置为:

当所述发送导线上的发送导线电压低于所述第二开关电路的 第二电压阈值时,使得第一栅极具有超过所述第一开关电路的所述第 一开关电压阈值的高电压,除非在所述单导线双向总线上接收到低逻 辑信号;以及

当所述发送导线电压高于所述第二开关电压阈值时,使得所 述第一栅极具有低于所述第一开关电路的所述第一开关电压阈值的低 电压,除非在所述单导线双向总线上接收到高逻辑信号。

2.如权利要求1所述的电路,其中,所述第一开关电路包括:

第一晶体管,所述第一晶体管具有接地的第一源极、连接到所述 单导线双向总线的第一栅极、以及第一漏极;

连接在所述第一漏极和第一电源电压之间的第一电阻器;以及

其中,所述第二开关电路包括:

第二晶体管,所述第二晶体管具有接地的第二源极、连接到所述 发送导线的所述第二栅极、以及第二漏极;

连接在所述第二漏极和所述第一栅极之间的第二电阻器;

连接在所述第二栅极和地之间的第三电阻器;

连接在所述第二电源电压和所述单导线双向总线之间的第四电阻 器;以及

连接在所述单导线双向总线和地之间的第五电阻器。

3.如权利要求2所述的电路,其中,当所述双导线全双工总线出 现高逻辑电平时,由所述第四电阻器和第二电阻器构成的分压器导致 第一栅极电压低于所述第一开关电压阈值;并且当在所述单导线双向 总线上接收到所述高逻辑信号时,所述第一栅极电压高于所述第一开 关电压阈值。

4.如权利要求2所述的电路,其中:

所述第一晶体管是第一场效应晶体管且所述第一栅极是所述第一 场效应晶体管的第一栅极,所述第一漏极是所述第一场效应晶体管的 第一漏极,以及所述第一源极是所述第一场效应晶体管的第一源极; 以及

所述第二晶体管是第二场效应晶体管,且所述第二栅极是所述第 二场效应晶体管的第二栅极,所述第二漏极是所述第二场效应晶体管 的第二漏极,以及所述第二源极是所述第二场效应晶体管的第二源极。

5.如权利要求4所述的电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶 体管是N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.一种用于连接双导线全双工总线与单导线双向半双工总线的 电路,其中,所述双导线全双工总线参考第一电源电压,所述单导线 双向半双工总线参考第二电源电压,所述电路包括:

第一场效应晶体管,所述场效应晶体管具有通过第一电阻器连接 到所述第一电源电压的第一漏极、接地的第一源极和配置为连接到所 述单导线双向半双工总线的第一栅极,所述第一漏极配置为连接到所 述双导线全双工总线的接收导线;以及

第二场效应晶体管,所述第二场效应晶体管具有通过第二电阻器 连接到所述第一栅极的第二漏极、接地的第二源极和配置为连接到所 述双导线全双工总线的发送导线的第二栅极。

7.如权利要求6所述的电路,其中,所述单导线双向半双工总线 包括连接所述第二电源电压和所述单导线双向半双工总线的上拉电阻 器。

8.如权利要求7所述的电路,其中,所述第二电阻器的阻值低于 上拉电阻器的阻值。

9.如权利要求8所述的电路,其中,所述第二电阻器的所述阻值 是所述上拉电阻器的阻值的十分之一。

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