[发明专利]等离子处理装置无效
申请号: | 200780005013.6 | 申请日: | 2007-01-26 |
公开(公告)号: | CN101379594A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 田才忠;野泽俊久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,其特征在于,
该装置包括:
处理容器,其内部可抽成真空,且具有侧壁、底部及开口的顶部;
载置台,其为了载置被处理体而设置在上述处理容器内;
顶板,其气密地安装于上述顶部,由可使微波透过的电介体构成;
平面天线构件,其设置于上述顶板的上表面上,用于向上述处理容器内导入微波;
微波供给部件,其用于向上述平面天线构件供给微波;
气体导入部件,其用于向上述处理容器内导入必要的处理气体;
在上述处理容器内,与易于堆积不需要的附着膜的部分相对应地设置自上述顶板延伸的由电介体构成的膜附着防止部件。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
在上述处理容器的侧壁或底部上设有排气口;
上述易于堆积不需要的附着膜的部分为设置于上述处理容器上的排气口附近,上述膜附着防止部件由形成为棒状的棒状构件构成。
3.根据权利要求2所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述棒状构件的下端与上述排气口之间的距离为100mm以下。
4.根据权利要求2所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述棒状构件成形为圆柱状,该圆柱状的棒状构件的半径r满足r≥λ/3.41(λ:构成棒状构件的电介体中的微波的波长)。
5.根据权利要求2所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述棒状构件的截面成形为矩形,该矩形截面的长边长度a满足a≥λ/2(λ:构成棒状构件的电介体中的微波的波长)。
6.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述易于堆积不需要的附着膜的部分为上述处理容器的侧壁,上述膜附着防止部件沿着上述侧壁的形状设置。
7.根据权利要求6所述的等离子处理装置,其特征在于,
在上述处理容器的侧壁上设有搬出搬入被处理体用的开口部;
上述易于堆积不需要的附着膜的部分为设置于上述处理容器上的搬出搬入被处理体用的开口部。
8.根据权利要求6所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述膜附着防止部件由沿着上述侧壁并与侧壁空开规定间隔地排列的多个棒状构件构成。
9.根据权利要求6所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述膜附着防止部件由沿着上述侧壁成形为板状的板状构件构成。
10.根据权利要求9所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述板状构件的截面成形为圆弧状。
11.根据权利要求6所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述膜附着防止部件由沿着上述侧壁成形为圆筒状的圆筒状构件构成。
12.根据权利要求6所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述膜附着防止部件与上述处理容器的侧壁之间的距离为100mm以下。
13.根据权利要求8所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述棒状构件成形为圆柱状,该圆柱状的棒状构件的半径r满足r≥λ/3.41(λ:构成棒状构件的电介体中的微波的波长)。
14.根据权利要求8所述的等离子处理装置,其特征在于,
上述棒状构件的截面成形为矩形,该矩形截面的长边长度a满足a≥λ/2(λ:构成棒状构件的电介体中的微波的波长)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造