[发明专利]用于高压气体退火的方法及设备无效
申请号: | 200780005080.8 | 申请日: | 2007-01-12 |
公开(公告)号: | CN101385131A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 洪锡东;金相信;曼纽尔·斯科特·里韦拉 | 申请(专利权)人: | 株式会社豊山MICROTEC |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 高压 气体 退火 方法 设备 | ||
1.一种在高压退火中使用的设备,该设备包括:
内室,所述内室由非金属材料制成,其中所述内室被设计成保持第 一气体的第一气体压力;以及
外室,所述外室由金属材料制成,其中所述外室容纳所述内室并被 设计成保持所述内室外部的第二气体的第二气体压力。
2.根据权利要求1所述的设备,该设备还包括:
保持器,所述保持器与所述内室联接,其中所述保持器被构造将半 导体晶片保持在所述内室内。
3.根据权利要求1所述的设备,该设备还包括:
加热器,所述加热器与所述内室和所述外室中的至少一个联接,其 中所述加热器被构造成加热所述内室中的所述第一气体。
4.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述第一气体压力和所述第二气体压力能够被单独地控制。
5.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述内室包括用于打开和关闭所述内室的装置,所述外室包括用于 打开和关闭所述外室的装置。
6.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述非金属材料包括石英,所述金属材料包括不锈钢。
7.根据权利要求1所述的设备,该设备还包括:
用于关闭该设备的手段,其中用于关闭该设备的所述手段包括降低 所述第一气体压力和所述第二气体压力中的至少一个。
8.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述第一气体包括氢气、氘气、氟气、氯气和氨气中的至少一种, 所述第二气体包括惰性气体。
9.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述第一气体包括含有氘气的合成气体,所述合成气体含有1%至 99%的氘气。
10.一种用于处理集成电路的方法,该方法包括:
将该集成电路暴露于氘气退火环境,该退火环境具有1%至99%的氘 气,并且处于超过25个大气压的压力下。
11.根据权利要求10所述的方法,其中:
所述退火环境包含从2%至98%的氘气。
12.一种用于保护第一压力室的方法,该第一压力室具有处于第一 压力下的第一气体,该方法包括:
设置第二压力室,所述第二压力室包围所述第一压力室;以及
将第二气体加入到所述第二压力室,从而所述第二气体的第二压力 和所述第一气体的第一压力之间的差基本在预设范围内。
13.根据权利要求12所述的方法,该方法还包括:
如果压差位于所述预设范围外,则执行紧急措施。
14.根据权利要求12所述的方法,其中:
所述执行包括发出警报和关闭所述设备二者中的至少一种。
15.一种在包括内室和外室的高压处理容器中保护内室的方法,该 外室容纳该内室,该内室具有处于第一压力下的第一气体,该外室具有 处于第二压力下的第二气体,该方法包括:
对该内室中的该第一气体的量和该外室中的该第二气体的量中的至 少一个进行调节,从而该第一压力和该第二压力之间的差基本在预设范 围内。
16.根据权利要求15所述的方法,该方法还包括:
如果压差位于所述预设范围外,则执行紧急措施。
17.根据权利要求15所述的方法,其中:
所述执行包括发出警报和关闭所述设备二者中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社豊山MICROTEC,未经株式会社豊山MICROTEC许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780005080.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造