[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质有效
| 申请号： | 200780005104.X | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101385128A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 西村荣一;菊地贵伦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 以及 存储 介质 | ||
1.一种基板处理装置，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的 CF类沉积层的基板实施处理的基板处理装置，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生 成物的化学反应处理装置；和对在所述表面生成有所述生成物的所述 基板进行加热的热处理装置，其中，
所述热处理装置包括：收容所述基板的收容室；和向该收容室内 供给臭氧气体的臭氧气体供给系统，供给臭氧气体时的所述收容室内 的载置台温度为100～200℃。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述臭氧气体供给系统具有臭氧气体供给孔，该臭氧气体供给孔 与被收容在所述收容室中的所述基板相对。
3.一种基板处理装置，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的 CF类沉积层的基板实施处理的基板处理装置，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生 成物的化学反应处理装置；和对在所述表面生成有所述生成物的所述 基板进行加热的热处理装置，其中，
所述热处理装置包括：收容所述基板的收容室；和向该收容室内 供给氧自由基的氧自由基供给系统，供给氧自由基时的所述收容室内 的载置台温度为100～200℃。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述氧自由基供给系统具有氧自由基供给孔，该氧自由基供给孔 与被收容在所述收容室中的所述基板相对。
5.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
所述氧自由基供给系统具有向所述收容室供给臭氧气体的臭氧气 体供给部、和热分解该被供给的臭氧气体的臭氧气体加热部。
6.一种基板处理方法，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的 CF类沉积层的基板实施处理的基板处理方法，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生 成物的化学反应处理步骤；
对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理步 骤；和
向被实施所述热处理的基板的表面供给臭氧气体的臭氧气体供给 步骤，载置基板的载置部的温度为100～200℃。
7.一种基板处理方法，其是对在表面形成有被氧化物层覆盖的 CF类沉积层的基板实施处理的基板处理方法，其特征在于，包括：
使所述氧化物层与气体分子发生化学反应，在所述表面上生成生 成物的化学反应处理步骤；
对在所述表面生成有所述生成物的所述基板进行加热的热处理步 骤；和
向被实施所述热处理的基板的表面供给氧自由基的氧自由基供给 步骤，载置基板的载置部的温度为100～200℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
