[发明专利]图案形成装置及图案形成方法、移动体驱动系统及移动体驱动方法、曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法有效
申请号: | 200780005146.3 | 申请日: | 2007-02-21 |
公开(公告)号: | CN101385121A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 柴崎祐一 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;G03F7/207;G03F9/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 何腾云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 形成 装置 方法 移动 驱动 系统 曝光 以及 组件 制造 | ||
1.一种图案形成装置,通过能量束经由光学系统将图案形成于物体上,其特征在于,具备:
第1移动体,保持该物体而在包含第1轴及与该第1轴交叉的第2轴的既定平面内移动;
第2移动体,在该平面内、独立于该第1移动体移动;以及
空间像测量装置,其一部分设于该第1移动体且剩余的一部分设于该第2移动体,用以测量经由该光学系统形成的标记的空间像。
2.如权利要求1所述的图案形成装置,其中,该空间像测量装置,在该第1移动体与该第2移动体接近的第1状态、以及该第1移动体与该第2移动体接触的第2状态中的至少一个状态下进行该测量。
3.如权利要求1所述的图案形成装置,其中,该空间像测量装置,具有设于该第1移动体的测量用图案及光学构件、以及设于该第2移动体的受光系统,经由该测量用图案及该光学系统以该受光系统检测该空间像。
4.如权利要求3所述的图案形成装置,其中,该第1移动体,设有各一对该测量用图案及该光学系统;
该第2移动体,设有与该一对测量用图案及光学系统对应的一对受光系统。
5.如权利要求4所述的图案形成装置,其中,该第1移动体,系以与该一对测量用图案的既定位置关系设有基准标记。
6.如权利要求5所述的图案形成装置,其中,该一对测量用图案,在平行于该第2轴的方向分离配置于该第1移动体的一面,该基准标记,配置于该一对测量用图案之间且在该第1移动体的一面中与该第1轴平行的中心轴上。
7.如权利要求1至6中任一项所述的图案形成装置,其进一步具备用以测量该第1移动体在该平面内的位置信息的位置测量系统。
8.如权利要求7所述的图案形成装置,其中,该位置测量系统,包含:第1光栅,具有以平行于该第1轴的方向为周期方向的格子,配置于该第1移动体上;第2光栅,具有以平行于该第2轴的方向为周期方向的格子,配置于该第1移动体上;第1轴编码器,具有在平行于该第2轴的方向位置相异的多个第1读头,通过与该第1光栅对向的第1读头来测量该第1移动体在平行于该第1轴的方向的位置信息;以及第2轴编码器,具有在平行于该第1轴的方向位置相异的多个第2读头,通过与该第2光栅对向的第2读头来测量该第1移动体在平行于该第2轴的方向的位置信息。
9.如权利要求8所述的图案形成装置,其中,该第1光栅与该第2光栅的至少一方,在该第1移动体上、在与该格子周期方向交叉的方向相距既定间隔配置有一对。
10.如权利要求8所述的图案形成装置,其中,该多个第1读头以该光学系统为中心配置成对称,该多个第2读头以该光学系统为中心配置成对称。
11.如权利要求8所述的图案形成装置,其进一步具备控制装置,其随着该第1移动体往该第1轴方向的移动,而在该多个第2读头间进行测量值的接续,且随着该第1移动体往该第2轴方向的移动,而在该多个第1读头间进行测量值的接续。
12.如权利要求8所述的图案形成装置,其中,该多个第1读头,通过该光学系统的中心且配置于与该第2轴平行的轴上;
该多个第2读头,通过该光学系统的中心且配置于与该第1轴平行的轴上。
13.如权利要求12所述的图案形成装置,其中,该多个第1读头中位于最内侧的第1读头、以及该多个第2读头中位于最内侧的第2读头的至少一方,固定于该光学系统。
14.如权利要求8所述的图案形成装置,其中,该第1光栅及该第2光栅的全部,均直接形成于该第1移动体的上面。
15.如权利要求8所述的图案形成装置,其中,该第2移动体具备基准构件,该基准构件形成有一对供从该多个第1读头中的两个第1读头照射检测光的基准格子;
该基准构件,动态支撑于该第2移动体。
16.如权利要求1所述的图案形成装置,其进一步具备浸液装置,该浸液装置,在该第1及第2移动体的至少一方对向于该光学系统时,将液体供应至该光学系统与对向于该光学系统的该至少一方移动体之间以形成浸液区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造