[发明专利]在表面上进行结晶化合物图案化

权利要求书

1.一种用至少一种结晶化合物图案化基质表面的方法，其包括如下步 骤:使能与基质表面结合并能结合至少一种结晶化合物的至少一种化合物 (C1)和/或能与基质表面结合并能防止结晶化合物结合的至少一种化合物 (C2)沉积在基质表面上。

2.权利要求1的方法，其包括如下步骤:

(a)提供具有包括多种在其中形成的压痕的表面限定压痕图案的印 模，其中所述压痕与压印表面邻接并且限定压印图案，

(b)用能与基质表面结合并能结合至少一种结晶化合物的至少一种化 合物(C1)涂覆所述压印表面，

(c)使至少一部分基质表面与所述压印表面接触以使所述化合物(C1) 沉积在基质上，

(d)除去所述压印表面以在基质表面上提供结合点的图案，

(e)将结晶化合物施涂在基质表面以使至少一部分施涂的晶体能与至 少一部分基质表面上的结合点结合。

3.权利要求1的方法，其包括如下步骤:

(a)提供具有包括多种在其中形成的压痕的表面限定压痕图案的印 模，其中所述压痕与压印表面邻接并且限定压印图案，

(b)用能与基质表面结合并且防止结晶化合物结合的至少一种化合物 (C2)涂覆所述压印表面，

(c)使至少一部分基质表面与所述压印表面接触以使所述化合物(C2) 沉积在基质上，

(d)除去所述压印表面以在基质表面上提供防止结晶化合物结合的点 图案，

(e)将结晶化合物施涂在基质表面以使至少一部分施涂的晶体能与至 少一部分未用(C2)覆盖的基质表面结合。

4.权利要求1-3中任一项的方法，其中所述结晶化合物由至少一种有 机半导体化合物(S)的多种微晶组成。

5.权利要求4的方法，其中所述有机半导体(S)以最大尺寸为5毫米或 更小，优选1mm或更小，尤其是500μm或更小的粒子形式使用。

6.权利要求4或5的方法，其中所述有机半导体(S)以长/宽比为至少 1.05，优选至少1.5，更优选至少3的粒子形式使用。

7.权利要求2的方法，其中使步骤d)中得到的具有结合点图案的基质 与至少一种化合物(C2)接触以防止结晶化合物在未用化合物(C1)图案化的 基质区域上沉积。

8.权利要求7的方法，其中所述化合物(C2)包含烃基，优选氟化烃基。

9.权利要求3的方法，其中使步骤d)中得到的具有防止结晶化合物结 合的表面上点图案的基质与至少一种化合物(C1)接触以使得结晶化合物在 未用化合物(C2)图案化的基质区域上沉积。

10.前述权利要求中任一项的方法，其中固体半导体粒子在液体介质 中的悬浮液用于将有机半导体(S)的微晶施涂在基质表面上。

11.权利要求10的方法，其中在25℃/1013毫巴下所述半导体在液体 介质中的溶解度为不大于10g/l。

12.权利要求10或11的方法，其中液体介质选自水和水与至少一种 水溶混性有机溶剂的混合物。

13.前述权利要求中任一项的方法，其中结晶化合物的施涂通过滴管 吸取、浸涂或旋涂进行。

14.前述权利要求中任一项的方法，其中至少90重量％，优选至少95 重量％，尤其是至少99重量％结合在基质表面上的结晶化合物与用(C1) 图案化的表面区域结合。

15.前述权利要求中任一项的方法，其中至少90重量％，优选至少95 重量％，尤其是至少99重量％结合在基质表面上的结晶化合物与未用(C2) 图案化的表面区域结合。