[发明专利]扫描型曝光装置、微元件的制造方法、光掩模、投影光学装置以及光掩模的制造方法有效
申请号: | 200780005789.8 | 申请日: | 2007-03-16 |
公开(公告)号: | CN101384968A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 加藤正纪 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G02B13/14;G02B13/24;G02B17/08;G03F1/08 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描 曝光 装置 元件 制造 方法 光掩模 投影 光学 以及 | ||
1.一种扫描型曝光装置,一边使第1物体与第2物体在第1方向上移 动,一边将上述第1物体的图案转印曝光在上述第2物体上,上述扫描型曝 光装置的特征在于包括:第1投影光学系统,将上述第1物体上的视场内的 该图案的放大像形成于上述第2物体上的像场内;
第2投影光学系统,相对于该第1投影光学系统,在该第1方向、及与 该第1方向呈正交的第2方向设置间隔而配置,将该第1物体上的视场内 的该图案的放大像形成于该第2物体上的像场内,当将上述第1投影光学 系统及上述第2投影光学系统的上述视场的中心彼此在上述第1方向上的 间隔设为Dm,将上述第1投影光学系统及上述第2投影光学系统的上述像场 的中心彼此在上述第1方向的间隔设为Dp,且将上述第1投影光学系统及上 述第2投影光学系统的投影倍率设为β时,满足Dp<Dm×|β|,其中,| β|>1,且
其中该图案包括对应于该第1投影光学系统而配置的第1行图案部、 对应于该第2投影光学系统而配置且相对于该第1行图案部在该第1方向 上错开规定量而配置的第2行图案部,且
所述规定量等于(Dm×|β|-Dp)÷|β|。
2.如权利要求1所述的扫描型曝光装置,其特征在于其中所述的第1 投影光学系统及上述第2投影光学系统由反射折射光学系统所构成,
上述反射折射光学系统包括:
第1凹面反射镜,其配置于上述第1物体与上述第2物体之间的 光路中;
第1光路偏向面,其配置于上述第1物体与上述第1凹面反射镜 之间的光路中,且使光路偏向;
第1主透镜群,其配置于上述第1光路偏向面与上述第1凹面反 射镜之间的光路中;以及
第2光路偏向面,其配置于上述第1主透镜群与上述第2物体之 间的光路中,且使光路偏向。
3.如权利要求1所述的扫描型曝光装置,其特征在于其中,藉由上述 第1投影光学系统所投影的上述放大像而形成于上述第2物体上的第1图 案转印区域、与藉由上述第2投影光学系统所投影的上述放大像而形成于 上述第2物体上的第2图案转印区域,在横切上述第1方向的方向上部分 重叠。
4.如权利要求1所述的扫描型曝光装置,其特征在于其中所述的第1 投影光学系统及上述第2投影光学系统包括光学特性调整机构。
5.如权利要求4所述的扫描型曝光装置,其特征在于其中所述的第1 投影光学系统与上述第2投影光学系统包括:第1成像光学系统,其形成 上述第1物体的中间像;以及第2成像光学系统,使上述中间像与上述第2 物体光学共轭;且
上述光学特性调整机构设置在上述第1成像光学系统的光路内。
6.如权利要求2所述的扫描型曝光装置,其特征在于其中上述第1投 影光学系统与上述第2投影光学系统包括与上述反射折射光学系统不同的 第2反射折射光学系统,
该第2反射折射光学系统的投影倍率为1,且包括:第2凹面反射镜, 其配置于上述第1物体与上述第2物体之间的光路中;第3光路偏向面, 其配置于上述第1物体与上述第2凹面反射镜之间的光路中,使光路偏向; 第2主透镜群,其配置于上述第3光路偏向面与上述第2凹面反射镜之间 的光路中;以及第4光路偏向面,其配置于上述第2主透镜群与上述第2 物体之间的光路中,使光路偏向。
7.如权利要求1所述的扫描型曝光装置,其特征在于其中所述的第2物 体是外径大于500mm的感光基板。
8.一种微元件的制造方法,其特征在于包括:
曝光步骤,使用权利要求1项至第7项中任一项所述的扫描型曝光装 置,将光掩模图案曝光至感光基板上;以及
显影步骤,使通过上述曝光步骤所曝光的上述感光基板显影。
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