[发明专利]高密度数据存储和成像的方法

说明书

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发明领域

本发明涉及高密度数据存储和成像的领域，更具体地涉及数据存储和 成像介质、数据存储和成像系统以及数据存储和成像方法。

发明背景

目前的数据存储和成像方法是在微观区域进行的。为了在更小的空间 中存储比以往更多的信息，数据存储密度已经增加。为了降低能耗并提高 集成电路的操作速度，用于生产集成电路的平版印刷技术向更小的尺寸和 更稠密的成像方向发展。随着数据存储尺寸的增加和密度增加以及集成电 路密度增加，需要开发能在纳米范围内操作的数据存储和成像方法。

发明概述

本发明的第一个方面是一种方法，包括：将探针加热到至少100℃； 将加热后的探针推入聚酰亚胺低聚物的交联树脂层中；并且从所述树脂层 取出探针，从而在树脂层中形成变形区域。

本发明的第二个方面是所述第一方面，其中聚酰亚胺低聚物具有以下 结构：

其中R’选自：

其中R”选自：

其中n是约5-50的整数。

本发明的第三方面是所述第二方面，其中聚酰亚胺低聚物的层包含反 应性稀释剂，所述反应性稀释剂选自：

其中R₁、R₂和R₃各自独立地选自氢、烷基、芳基、环烷基、烷氧基、 芳氧基、烷基氨基、芳基氨基、烷基芳基氨基、芳基硫基、烷基硫基，和

其中聚酰亚胺低聚物是在固化期间被由反应性稀释剂衍生的反应性稀 释剂基团交联的。

本发明的第四方面是所述第三方面，其中含有反应性稀释剂基团的树 脂层的玻璃化转变温度是在与没有反应性稀释剂基团时形成的其它相同树 脂层的玻璃化转变温度相差约50℃的范围内。

本发明的第五方面是所述第一方面，其中聚酰亚胺低聚物具有以下结 构：

其中E是：

其中A₁、A₂、A₃...A_N各自独立地选自：

其中R¹选自：

其中R²选自：

其中R³是：

其中N是大于或等于2的整数；

其中A₁、A₂、A₃...A_N中的至少一个是：

其中A₁、A₂、A₃...A_N中的至少一个是：

本发明的第六方面是所述第一方面，其中在固化之后，所述树脂层被 聚酰亚胺低聚物的反应性端基交联。

本发明的第七方面是所述第一方面，其中聚酰亚胺低聚物含有与聚酰 亚胺低聚物主链连接的反应性侧基，并且在固化之后，所述树脂层被所述 反应性侧基交联。

本发明的第八方面是所述第一方面，其中所述树脂层的玻璃化转变温 度低于约250℃。

本发明的第九方面是所述第一方面，其中所述树脂层在高于其玻璃化 转变温度时的模量比所述树脂层在低于其玻璃化转变温度时的模量低约 1.5至约3.0个十进位。

本发明的第十方面是所述第一方面，其中所述树脂层被热和氧化稳定 到至少400℃。

本发明的第十一方面是所述第一方面，进一步包括：除去在变形区域 中的树脂层，从而形成基材的暴露区域和受所述树脂层保护的基材区域； 然后对基材的暴露区域的至少一部分进行改性。

本发明的第十二方面是所述第一方面，进一步包括：在加热和推入探 针的同时沿着与树脂层上表面平行的方向拖动探针，使得在树脂层中形成 槽。

本发明的第十三方面是所述第一方面，其中交联的树脂层具有约 10-500nm的厚度，并且在交联的树脂层中的厚度变化小于约1.0nm。