[发明专利]从基片边缘注入处理调谐气体

权利要求书

1.一种等离子处理室，包括:

用于容纳基片的基片支撑件；以及

具有多个限定于其中的气体通道的环形圈，该环形圈接 近该基片支撑件的外部边缘且该环形圈与该基片支撑件耦合， 该多个气体通道连接至围绕该基片支撑件的边缘气体室，该边 缘气体室通过多个气体供应通道连接至中央气体室，该中央气 体室设于该基片支撑件内且靠近该基片支撑件的中心。

2.如权利要求1所述的等离子处理室，其中该多个气体通道是圆 柱形的且该多个气体通道的直径介于约0.3mm到约5mm。

3.如权利要求1所述的等离子处理室，其中该多个气体通道的每 个以与该多个气体通道中每个的纵轴呈介于约0度到约60度 的角度指向该基片的中心。

4.如权利要求1所述的等离子处理室，其中有至少12个气体通 道。

5.如权利要求1所述的等离子处理室，其中有至少6个气体供应 通道。

6.如权利要求1所述的等离子处理室，其中该多个气体通道配置 为引导待传输至该基片边缘表面上方的区域的处理调谐气体。

7.如权利要求1所述的等离子处理室，其中该处理调谐气体包括 至少一种处理气体。

8.如权利要求1所述的等离子处理室，其中该多个气体通道配置 为引导待传输至该基片边缘下方的暴露区域的惰性气体。

9.一种用于等离子处理系统的调谐气体组件，包括:

环形圈，其具有多个限定于其中的调谐气体通道，该环 形圈接近该基片支撑件的外部边缘且该环形圈与等离子处理 系统内的基片支撑件耦合，其中该多个调谐气体通道供应调谐 气体至接近该基片支撑件的边缘；

边缘调谐气体室，其中该多个调谐气体通道连接至该围 绕该基片支撑件的该边缘气体室；和

中央调谐气体室，其设置于该基片支撑件内且靠近该基 片支撑件的中心，通过多个调谐气体供应通道。

10.如权利要求9所述的调谐气体组件，其中该多个调谐气体通道 是圆柱形的且该多个调谐气体通道的直径介于约0.3mm到约 0.5mm。

11.如权利要求9所述的调谐气体组件，其中该多个调谐气体通道 的每个以与该多个调谐气体通道中每个的纵轴呈介于约0度 到约60度的角度指向该基片的中心。

12.如权利要求9所述的调谐气体组件，其中有至少12个调谐气 体通道。

13.如权利要求9所述的调谐气体组件，其中有至少6个调谐气体 供应通道。

14.如权利要求9所述的调谐气体组件，其中该多个调谐气体通道 配置为引导待传输至由该基片支撑件支撑的基片边缘表面上 方的一个区域的处理调谐气体。

15.如权利要求9所述的调谐气体组件，其中该多个调谐气体通道 配置为引导待传输至由该基片支撑件支撑的基片边缘下方的 一个暴露区域的惰性气体。

16.如权利要求10所述的调谐气体组件，其中该多个调谐气体注 入孔配置为引导待传输至在该基片边缘且恰好该基片边缘下 方的一个暴露区域的该调谐气体。

17.一种提高等离子处理室内基片边缘处的等离子均匀性的方法， 包括如下方法操作:

从设置于基片支撑件上方的气体分配板供应处理气体；

在供应该处理气体同时，从该等离子处理室的底部区域 向该基片的外部边缘引入包含该处理气体的至少一种组分的 调谐气体，其中该调谐气体通过设于该基片支撑件内的中央气 体室供应；和

通过向该处理室内的至少一个电极供电生成等离子。

18.如权利要求17所述的方法，其中该调谐气体提高了该基片末 端处的该等离子的密度。