[发明专利]电力供应控制器

权利要求书

1.一种电力供应控制器，包括：

MOSFET，被置于电源和负载之间；

电流检测元件，被配置为输出与通过所述MOSFET的负载电流相 对应的电流检测信号；

过电流保护电路，被配置为如果根据所述电流检测信号确定第一 电流异常，则对所述MOSFET进行强制切断操作，其中所述第一电流 异常是通过所述MOSFET的负载电流超过第一阈值；

充电电路，被配置为根据外部接通信号通过向所述MOSFET的栅 极施加充电电流来接通所述MOSFET，所述充电电路能改变其充电速 率；以及

控制电路，被配置为如果根据所述电流检测信号确定第二电流异 常，则增加所述充电电路的充电速率，以使所述充电速率高于当所述 负载电流等于或低于所述第二阈值时的充电速率，其中所述第二电流 异常是通过所述MOSFET的负载电流超过了低于所述第一阈值的第二 阈值。

2.如权利要求1所述的电力供应控制器，其中所述MOSFET是N 沟道类型。

3.如权利要求1所述的电力供应控制器，其中：

所述充电电路包括电荷泵部件和时钟产生器，所述时钟产生器能 够将不同频率的时钟信号施加到所述电荷泵部件，以使所述电荷泵部 件根据施加的时钟信号的频率进行电荷泵操作；以及

所述控制电路被配置为通过引起施加到所述电荷泵部件的所述时 钟信号的频率的改变来改变所述充电电路的充电速率。

4.如权利要求1所述的电力供应控制器，其中：

所述充电电路包括：电荷泵电容器；连接到所述电荷泵电容器的 一端侧的缓冲电路，用于对所述电荷泵电容器充电或放电；以及电流 改变电路，用于改变通过所述缓冲电路进行的所述充电或放电的电流 量；以及

所述控制电路被配置为通过引起所述充电或放电的电流量的改变 来改变所述充电电路的充电速率。

5.如权利要求1所述的电力供应控制器，其中：

所述充电电路包括：电荷泵电容器；连接到所述电荷泵电容器的 一端侧的缓冲电路，用于对所述电荷泵电容器充电或放电；以及电容 改变电路，用于改变所述电荷泵电容器的电容；以及

所述控制电路被配置为通过引起所述电荷泵电容器的电容的改变 来改变所述充电电路的充电速率。

6.如权利要求1所述的电力供应控制器，其中：

所述充电电路包括：电荷泵电容器，用于电荷泵操作；连接到所 述电荷泵电容器的一端侧的缓冲电路，用于对所述电荷泵电容器充电 或放电；以及充电电压改变电路，用于改变通过所述缓冲电路对所述 电荷泵电容器进行充电的充电电压；以及

所述控制电路被配置为通过引起所述充电电压的改变来改变所述 充电电路的充电速率。

7.如权利要求1所述的电力供应控制器，其中：

所述充电电路包括用于进行电荷泵操作的第一充电器，所述第一 充电器具有电荷泵电容器且被置于所述电源和所述MOSFET的栅极之 间，所述充电电路进一步包括具有被置于所述电源和所述MOSFET的 栅极之间的充电开关元件的第二充电器，所述第二充电器被配置为通 过接通所述充电开关元件来形成用于所述栅极的充电路径；以及

所述控制电路被配置为通过在接通和切断之间切换所述充电开关 元件来改变所述充电电路的充电速率。

8.如权利要求1至7中任何一项所述的电力供应控制器，进一步 包括：放电电路，其被配置为通过释放所述MOSFET的栅极电荷来切 断所述MOSFET，所述放电电路能改变其放电速率；

其中，当在所述负载电流超过所述第二阈值期间进行切断操作时， 所述控制电路被配置为增加所述放电电路的放电速率，从而放电速率 高于在所述负载电流等于或低于所述第二阈值期间进行的切断操作的 放电速率。

9.如权利要求8所述的电力供应控制器，其中：

所述放电电路包括置于所述MOSFET的栅极和源极之间的并联连 接的多个放电开关元件；以及

所述控制电路被配置为通过改变从所述多个放电开关元件选择的 并被接通的放电开关元件的组合来改变所述放电电路的放电速率。