[发明专利]发光体、包含该发光体的光源以及该发光体的制造方法有效
申请号: | 200780006334.8 | 申请日: | 2007-02-19 |
公开(公告)号: | CN101389733A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·贝克;蒂姆·菲德勒;沃尔弗拉姆·亨佩尔;弗兰克·耶尔曼 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆有限公司 |
主分类号: | C09K11/77 | 分类号: | C09K11/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜有;刘继富 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光体 包含 光源 以及 制造 方法 | ||
1.一种具有阳离子M2+和经验式M(1-c)Si2O2N2:Dc的称为sion的氧氮化 硅酸盐类的高效荧光体,其中M2+同时包含Sr2+和Ba2+作为组分,其中D 是至少包含铕的二价掺杂剂,其特征在于:M为其中0.3≤x≤0.7的Sr(1-x)Bax,所述氧氮化硅酸盐完全或主要由既不对应于纯Sr sion的相也不对应 于纯Ba sion的相的混合相所构成,在给定掺杂量的情况下所述混合sion 相相对于具有相同掺杂量的所述纯的Sr sion相的主波长朝向较长波长偏 移至少6nm,其中,所述铕的含量c为至少1mol%。
2.根据权利要求1所述的荧光体,其特征在于,0.42≤x≤0.70。
3.根据权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体的结构的对 称性比所述纯的Sr sion的结构的对称性程度更高。
4.根据权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述Eu的含量c最高 为M的20mol%。
5.根据权利要求1所述的荧光体,其特征在于,0.45≤x≤0.55。
6.根据权利要求5所述的荧光体,其特征在于,Sr/Ba的比率在测量精 度范围内等于1。
7.根据权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述荧光体最大强度的 XRD反射表现为峰,在足够分辨率下为双峰,与在2θ为31.6°的Sr sion 最大强度的XRD反射相比,其朝向较短的角偏移。
8.根据权利要求1所述的荧光体,其特征在于,X-射线衍射的衍射图在 52°和58°之间存在三个强反射的组。
9.一种光源,所述光源的初级辐射通过根据前述权利要求1-8任一项所 述的荧光体完全或部分地转化为较长波的辐射。
10.根据权利要求9所述的光源,其特征在于,所述光源是LED。
11.根据权利要求9所述的光源,其特征在于,所述初级辐射具有440~ 465nm的峰。
12.根据权利要求9所述的光源,其特征在于,所述混合sion与另外的荧 光体一起使用。
13.一种制备根据权利要求1-8中任一项所述的混合sion的方法,其特征 在于,在第一步骤中,Sr的碳酸盐和Ba的碳酸盐与SiO2和熔剂以及Eu 前体一起充分混合,由此合成原硅酸盐,然后在第二步骤中将其与Si3N4混合,接着将所述混合物在弱还原气氛中进行退火。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,在所述制备中使用熔剂。
15.根据权利要求12所述的光源,其中所述另外的荧光体包括具有在绿色 或红色光谱区中的峰的另外的sion或氮化物。
16.根据权利要求1所述的荧光体,其特征在于,所述偏移为至少8nm。
17.根据权利要求11所述的光源,其特征在于,所述初级辐射具有440~ 450nm的峰。
18.根据权利要求4所述的荧光体,其特征在于,所述铕的含量c为5~12 mol%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆有限公司,未经奥斯兰姆有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780006334.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。