[发明专利]元件的接合结构无效
| 申请号： | 200780006638.4 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101390215A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 占部宏成;松浦宜范;久保田高史 | 申请（专利权）人： | 三井金属鉱业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 冯 雅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元件 接合 结构 | ||
1.元件的接合结构，它是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，其特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。
2.如权利要求1所述的元件的接合结构，其特征在于，Si的氮含量为1×1018原子/cm3～5×1021原子/cm3。
3.如权利要求1或2所述的元件的接合结构，其特征在于，Si的氮含量为1×1018原子/cm3～1×1020原子/cm3。
4.如权利要求1～3中任一项所述的元件的接合结构，其特征在于，半导体层的从与Al系合金层直接接合的表面侧开始100以上的深度的区域由含氮Si形成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的元件的接合结构，其特征在于，半导体层由非晶态的n+-Si或p+-Si形成。
6.如权利要求5所述的元件的接合结构，其特征在于，半导体层含有5×1017原子/cm3～5×1021原子/cm3的选自磷、硼和锑的掺杂剂。
7.如权利要求1～6中任一项所述的元件的接合结构，其特征在于，Al系合金含有0.5at％～10.0at％的Ni。
8.如权利要求7所述的元件的接合结构，其特征在于，Al系合金含有0.1at％～0.8at％的硼。
9.薄膜晶体管，其特征在于，由具备权利要求1～8中任一项所述的元件的接合结构的元件形成。
10.元件的形成方法，它是形成具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构的元件的形成方法，其特征在于，在通过化学气相蒸镀法将形成为半导体层的Si成膜时的成膜气氛中导入含有N2、NH3、NOx的至少任1种的气体而成膜。
11.如权利要求10所述的元件的形成方法，其特征在于，导入含N2的气体将形成为半导体层的Si成膜时，以0.001％～20％的氮分压比开始成膜。
12.如权利要求10所述的元件的形成方法，其特征在于，导入含N2的气体将形成为半导体层的Si成膜时，在成膜过程中将氮分压比调整为0.001％～20％。
13.元件的形成方法，它是形成具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构的元件的形成方法，其特征在于，将形成为半导体层的Si成膜后，在氮气氛中进行200℃～500℃的热处理。
14.Al系合金溅射靶，它是用于形成权利要求7所述的元件的接合结构的溅射靶，其特征在于，含有0.5at％～10.0at％的Ni。
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