[发明专利]用于在集成电路制造中指示方向性的方法和装置

说明书

技术领域

本发明总体上涉及制造集成电路，并且更具体地涉及相对于集成 电路制造中的过程来指示集成电路布局的方向性的方法和装置。

背景技术

希望执行不对称的晕环注入(halo implant)来增加设备的性能。 当存在各种知识产权(IP)模块时，例如SRAM组件或微处理器核心， 可能需要验证IP模块的正确取向，使得如果存在的话将在每个IP模块 中的正确位置上沿正确的方向或取向执行不对称的晕环注入。典型地， 通过检查在数据设计和掩模设计之间的设计数据流程的每个步骤来进 行此验证。这是一个缓慢而困难的过程，这增加了周期时间。另外， 目前没有能力在制造过程中验证取向。

现有结构已出现在掩模和集成电路上，例如对准键(其可以是圣 诞树或仙人掌形状)和临界尺寸(CD)条。但是这些现有结构用于尺 寸和覆盖控制。

因此，存在着在制造过程中验证取向的需求。另外，当验证IP模 块的正确取向时，希望能改进周期时间。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路，包括：可在视觉 上辨别的指示器，该指示器被形成为所述集成电路的一部分，以指示 所述集成电路的注入和晶格取向中的至少一个的方向性。

根据本发明的另一个方面，提供了一种使用至少一个注入所形成 的集成电路，所述集成电路包括：可在视觉上辨别的指示器，该指示 器根据目测检查来指示所述至少一个注入的方向。

根据本发明的另一个方面，提供了一种集成电路，包括：至少一 个指示器，用于指示源极晕环注入的注入方向；以及不对称掺杂的器 件，包括源极区和漏极区，其中所述源极区包括源极晕环注入区，并 且其中所述不对称掺杂的器件的所述源极晕环注入区具有比邻近所 述漏极区的区域高的掺杂浓度，其中邻近所述漏极区的区域具有与所 述源极晕环注入区相同的传导性类型。

根据本发明的另一个方面，提供了一种用于在集成电路的制造中 指示方向性的方法，所述方法包括：在所述集成电路的第一模块内形 成第一指示器，以指示所述第一模块的注入和晶格取向中的至少一个 的方向性；并且使用所述第一指示器执行与方向相关的过程，以确定 所述第一模块的注入和晶格取向中的至少一个的所述方向性。

附图说明

本发明通过实例的方式示出并且不受附图的限制，其中相同的附 图标记指示相同的元件。

图1示出了集成电路的一部分的剖视图，示出了不对称的晕环注 入和根据本发明实施例的指示器；

图2示出了没有指示器的设计布局的一部分；

图3示出了没有指示器的掩模布局，该掩模布局可以用来在半导 体上形成图2的掩模数据的一部分；

图4示出了具有根据本发明的实施例的指示器的图3的掩模布局， 示出了不希望的布局；

图5示出了具有根据本发明的实施例的指示器的图3的改良掩模 设计，示出了所希望的布局；

图6-8示出了可以在本发明的不同实施例中使用的指示器；以及

图9示出了根据本发明的实施例的在集成制造中使用指示器的流 程图。

技术人员应当理解：图中的元件是为了简单和清楚而示出的且不 必按比例绘制。例如，图中某些元件的尺寸可相对于其它元件放大， 以帮助改善对本发明的实施例的理解。

具体实施方式

图1示出了集成电路10的剖视图，该集成电路10包括根据本发 明的一个实施例的指示器190。集成电路10包括具有注入方向A的器 件14和具有注入方向B的器件16以及指示器190，它们都形成在半导 体衬底12上。在一个实施例中，注入方向A可以具有第一注入方向并 且注入方向B可以具有第二注入方向。半导体衬底12可以是任何半导 体材料或材料的组合，例如砷化镓、锗硅、绝缘体上硅(SOI)(例如， 全耗尽SOI(FDSOI))、硅、单晶硅等以及上述的组合。