[发明专利]光纤无效
申请号: | 200780006689.7 | 申请日: | 2007-07-02 |
公开(公告)号: | CN101389989A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 小山田弥平;今村胜德 | 申请(专利权)人: | 古河电气工业株式会社;小山田弥平 |
主分类号: | G02B6/00 | 分类号: | G02B6/00;G02B6/02;G02B6/036 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光纤 | ||
技术领域
本发明涉及可以抑制感应布里渊散射的产生的光纤。
背景技术
为了实现大容量的光通信,采用波分复用(WDM)方式或时分复用(TDM)方式等通信方式。在这样的通信方式中,若作为传送路径的光纤中输入的光强度增大,则在光纤中的非线性光学现象的产生变得显著。作为非线性光学现象的一种的感应布里渊散射(SBS)是输入到光纤的光的一部分向后方散射,该被散射的光即布里渊散射光引起感应散射的现象,其由于在光纤中传播的光和声波的相互作用而产生。若SBS产生,则会成为光纤中的光传播的障碍。由于SBS在输入的光的强度达到阈值(SBS阈值)以上的情况下产生,所以希望传送路径所使用的光纤是SBS阈值较高的光纤。另外,将布里渊散射光引起感应散射时得到的增益称为布里渊增益。
过去,作为提高SBS阈值的方法,提出了通过在光纤的纵向在纤芯径向或纤芯中添加的掺杂剂的添加量变化,而使诸如波长分散或传送损失这样的光纤特性在纵向变化的方法(参照专利文献1~3)。根据这些方法,由于光的频谱上的相对于入射光的布里渊散射光的移位量(布里渊移位量)在光纤的纵向变化,所以SBS变得较难产生,SBS阈值变高。另一方面,公开了如下那样的光纤:即在光纤中作为掺杂剂含有锗和氟,并按照在锗的分布浓度最高的部位的外侧存在氟浓度最高的部位的方式来添加各掺杂剂,使得在纵向不使特性发生变化的情况下提高SBS阈值(参照专利文献4)。
专利文献1:专利第2584151号公报
专利文献2:专利第2753426号公报
专利文献3:专利第3580460号公报
专利文献4:专利公开2006-13314号公报
但是,专利文献1~3所记载的在纵向使特性变化的光纤,即使能够提高SBS阈值而抑制SBS的产生,也存在在光纤的纵向不具有稳定的特性的问题。其结果,若在光纤中传播光信号,在光信号通过特性局部地变化的部分时,有引起信号波形失真等光信号劣化的可能性。另一方面,专利文献4所记载的光纤虽然在纵向特性不发生变化,但提高SBS阈值的效果不充分。
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出,目的在于提供一种光纤,其在光纤的纵向具有稳定的特性,并且能够有效地抑制SBS的产生。
为了解决上述问题,达成目的,本发明所涉及的光纤是具有纤芯和形成于所述纤芯的外周的包层的石英系光纤,其中,所述纤芯具有3层或比3层更多的、添加了锗和氟的至少一种元素的层,所述纤芯具有中心纤芯层、形成于所述中心纤芯层的外周的内侧纤芯层和形成于所述内侧纤芯层的外周的外侧纤芯层,所述各纤芯层的总相对折射率差为0.3~0.4%,在设所述中心纤芯层的由锗而产生的相对折射率差为Δ1-GeO2,设由氟而产生的相对折射率差为Δ1-F,设所述内侧纤芯层的由锗而产生的相对折射率差为Δ2-GeO2,设由氟而产生的相对折射率差为Δ2-F,设所述外侧纤芯层的由锗而产生的相对折射率差为Δ3-GeO2,设由氟而产生的相对折射率差为Δ3-F,设所述外侧纤芯层的纤芯直径为2c的情况下,Δ1-GeO2为0.45~1.1%,Δ1-F为-0.7~-0.1%,(Δ1-GeO2)-(Δ2-GeO2)比0大,(Δ1-F)-(Δ2-F)比0小,(Δ2-GeO2)-(Δ3-GeO2)比0.1大,(Δ2-F)-(Δ3-F)比-0.1小,2c为7.5~10.0μm。
另外,本发明所涉及的光纤,在上述发明中,若Δ1-GeO2为0.65~1.1%,Δ1-F为-0.7~-0.3%,Δ2-GeO2为0.5~0.7%,Δ2-F为-0.4~-0.1%,Δ3-GeO2为0.35~0.5%,Δ3-F为-0.15~0%,设所述中心纤芯层的纤芯直径为2a,设所述内侧纤芯层的纤芯直径为2b,则a/c为0.1~0.4,b/c为0.5~0.7。
根据本发明,由于纤芯具有添加了锗和氟的3层以上的层,并按照将布里渊增益光谱上的波峰分散成多个波峰的方式设定各层的锗和氟的浓度,因此通过调整在光纤中传播的光和声波的重叠,而将布里渊增益光谱上的波峰分散成多个波峰。其结果,可以起到如下效果:即能够实现一种SBS阈值变高、并且即使在光纤的纵向不使特性变化也可以有效地抑制SBS的产生的光纤。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的光纤的截面和折射率分布(profile)的图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于古河电气工业株式会社;小山田弥平,未经古河电气工业株式会社;小山田弥平许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780006689.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示装置
- 下一篇:物体检测装置和检测物体的方法