[发明专利]半导体激光装置

权利要求书

1.一种半导体激光装置，具有：

-光泵浦的表面发射的垂直发射器(1)，该垂直发射器在垂直主辐射方向上发射；以及

-至少一个单片集成的泵浦辐射源(2)，用于垂直发射器(1)的光泵浦，其中泵浦辐射源(2)在横向于垂直主辐射方向走向的泵浦主辐射方向上发射泵浦辐射，

其中泵浦辐射源(2)的至少一个垂直区段在横向于泵浦主辐射方向和横向于垂直主辐射方向的横向方向上对于泵浦辐射以折射率引导的方式实施，

其中垂直区段实施为沿着泵浦主辐射方向上的波导(13)，该波导(13)在垂直主辐射方向上具有受限的横截面并且在横向方向上具有小于泵浦辐射的10个真空波长的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，泵浦辐射源(2)在至少一个垂直区段中在横向于泵浦主辐射方向的横向方向上具有比在另一垂直区段中更小的宽度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，泵浦辐射源(2)具有有源的产生辐射的泵浦辐射层(5)，并且波导(13)在泵浦辐射源(2)的如下区域中实施：该区域在垂直主辐射方向上与泵浦辐射层(5)间隔。

4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于，半导体激光装置在泵浦辐射源(2)的区域中被部分地剥蚀，并且通过被暴露的半导体带形成波导(13)。

5.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，波导(13)通过带有扩散至其中的掺杂物的半导体材料形成。

6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，波导(13)在横向方向上具有在泵浦辐射的1至6个真空波长之间的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，波导(13)在垂直主辐射方向上具有泵浦辐射的1/5至4个真空波长之间的延伸。

8.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，在泵浦辐射源(2)上设置有接触层，该接触层在与泵浦辐射层(5)平行并且与该泵浦辐射层背离的侧上接触波导(13)。

9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，垂直发射器(1)具有有源的产生辐射的至少一个垂直发射层(10)，该垂直发射层在垂直主辐射方向上与泵浦辐射层(5)间隔。

10.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，泵浦辐射源(2)是边发射的激光器，并且具有带至少一个谐振腔反射器(16)的谐振腔。

11.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，设置在垂直发射器(1)的彼此对置的侧上的两个泵浦辐射源(2)具有共同的、带有谐振腔反射器(16)的谐振腔，并且共同形成了激光器。

12.根据权利要求11所述的半导体激光器装置，其特征在于，在泵浦辐射的方向上波导(13)在谐振腔反射器(16)之前终止。

13.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，设置有至少两个彼此平行设置的泵浦辐射源(2)，所述泵浦辐射源具有共同的谐振腔反射器装置(17)，该谐振腔反射器装置包括彼此成直角地设置的两个谐振腔反射器(16)。

14.根据权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于，在泵浦辐射的方向上波导(13)在谐振腔反射器(16)之前终止。

15.根据权利要求13所述的半导体激光装置，其特征在于，波导(13)实施为使得其在泵浦辐射的方向上在谐振腔反射器(16)之前在横向方向上逐渐变细或者扩宽。