[发明专利]用于将纳米荧光粉结合到微光学结构中的工艺无效
申请号: | 200780006770.5 | 申请日: | 2007-01-27 |
公开(公告)号: | CN101389990A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | H·温克勒;T·朱斯特尔;J·奥皮兹;H·贝克特尔 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司;皇家菲利浦电子公司 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;C04B38/00;C09K11/08;H05B33/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;于 静 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 纳米 荧光粉 结合 微光 结构 中的 工艺 | ||
1.一种制备光电材料的方法,所述光电材料具有容纳至少一种着色 剂的规则排列的腔,其特征在于:
a)规则排列蛋白石模板球,
b)对所述球的间隙填充一种或多种壁材料前体,
c)形成壁材料,并去除所述蛋白石模板球,
d)将所述着色剂引入所述腔,其中通过利用孔扩散的溶液浸渍将溶解 的着色剂前体引入所述反蛋白石的所述腔,
e)去除所述溶剂,
f)在后续步骤中将所述前体转变为所述着色剂。
2.根据权利要求1的方法,其特征在于在步骤a)之前将至少一种 着色剂或者着色剂前体引入所述蛋白石模板球。
3.根据权利要求1和/或2的方法,其特征在于除了步骤b)中的壁 材料前体以外,将着色剂的一种或多种前体和/或纳米颗粒和着色剂另外引 入球间隙。
4.根据权利要求1至3中至少一项的方法,其特征在于步骤c)为 在优选高于200℃、特别优选高于400℃的温度进行煅烧。
5.根据权利要求1至4中至少一项的方法,其特征在于步骤f)为 在优选高于200℃、特别优选高于400℃的温度进行煅烧,其中还添加反应 气体。
6.根据前述权利要求中至少一项的方法,其特征在于在降低的气压 和/或升高的温度下进行步骤e)。
7.根据前述权利要求中至少一项的方法,其特征在于所述光电材料 的所述壁基本由氧化物或者硅、钛、锆和/或铝的混合氧化物组成,优选由 二氧化硅组成。
8.根据前述权利要求中至少一项的方法,其特征在于所述光电材料 的腔的直径处于100-600nm的范围内。
9.根据前述权利要求中至少一项的方法,其特征在于以至少一种着 色剂对所述光电材料的腔填充至至少体积1%、最多50体积%的程度,这 里优选以至少一种着色剂将所述腔填充至至少5体积%、最多30体积%的 程度。
10.根据前述权利要求中至少一项的方法,其特征在于所述至少一种 着色剂组成光电材料的5至75重量%,这里所述至少一种着色剂优选组成 所述光电材料的25至66重量%。
11.根据前述权利要求中至少一项的方法,其特征在于所述采用的光 电材料为由发出从550到700nm范围内的辐射的发射体组成的着色剂,其 为掺杂有铕、钐、铽或者镨的稀土化合物。
12.根据前述权利要求中至少一项的方法,其特征在于所述采用的着 色剂为至少一种化合物MI2O3:MII,这里MI=Y、Sc、La、Gd、Lu,MII=Eu、Pr、Ce、Nd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb,或者至少一种化合物 MI2O2S:MII,或者至少一种化合物MIIIS:MIV,A,X,这里MIII=Mg、Ca、 Sr、Ba、Zn,MIV=Eu、Pr、Ce、Mn、Nd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、 Yb,A=Li、Na、K、Rb,并且X=F、Cl、Br、I,或者至少一种化合物 MIIIMV2S4:MII,这里MV=Al、Ga、In、Y、Sc、La、Gd、Lu。
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