[发明专利]陶瓷构件的制造方法、陶瓷构件、气体传感器元件、燃料电池元件、过滤元件、层叠型压电元件、喷射装置以及燃料喷射系统有效
申请号: | 200780006824.8 | 申请日: | 2007-02-27 |
公开(公告)号: | CN101390228A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 冈村健;中村成信;川元智裕;伊藤信行;鹤丸尚文;濑户口刚 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01L41/083 | 分类号: | H01L41/083;F02M51/06;H01L41/187;H01L41/22;H02N2/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 构件 制造 方法 气体 传感器 元件 燃料电池 过滤 层叠 压电 喷射 装置 以及 燃料 系统 | ||
1.一种陶瓷构件的制造方法,其特征在于,包含:制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分M1的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序;和烧成该层叠成形体的工序,
金属成分M1相对于含于所述金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时,
在制作所述层叠成形体的工序中,将所述多个金属膏层中至少一层作为所述质量百分率X比在层叠方向上相邻的第一金属膏层高的第二金属膏层,使该第二金属膏层中含有陶瓷粉末。
2.如权利要求1所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,使所述第二金属膏层的所述质量百分率X比在层叠方向上相邻的两侧的第一金属膏层高。
3.如权利要求1所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,所述第二金属膏层的质量百分率X设为XH、在层叠方向上相邻的第一金属膏层的质量百分率X设为XL时,设定质量百分率XH以及质量百分率XL,使其满足:XL+0.1≤XH≤XL+30。
4.如权利要求1所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,所述多个金属膏层的质量百分率X为85≤X≤100的范围。
5.如权利要求1所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,在制作所述层叠成形体的工序中,配置多个所述第二金属膏层。
6.如权利要求5所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,经由所述第二金属膏层以外的多个金属膏层分别配置所述多个第二金属膏层。
7.如权利要求5所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,交替配置所述第二金属膏层和第二金属膏层以外的金属膏层。
8.一种陶瓷构件的制造方法,其特征在于,包含:制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分M1的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序;和烧成该层叠成形体的工序,
金属成分M1相对于含于所述金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时,
在制作所述层叠成形体的工序中,将所述多个金属膏层中至少一层作为所述质量百分率X比在层叠方向上相邻的两侧的第二金属膏层低的第一金属膏层,使与该第一金属膏层相邻的所述两侧的第二金属膏层中含有陶瓷粉末。
9.如权利要求8所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,所述第一金属膏层的质量百分率X设为XL、在层叠方向上相邻的第二金属膏层的质量百分率X设为XH时,设定质量百分率XH以及质量百分率XL,使其满足:XH-0.1≥XL≥XH-30。
10.如权利要求8所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,所述多个金属膏层的质量百分率X为85≤X≤100的范围。
11.如权利要求8所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,在制作所述层叠成形体的工序中,配置多个所述第一金属膏层。
12.如权利要求11所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,经由所述第一金属膏层以外的多个金属膏层分别配置所述多个第一金属膏层。
13.如权利要求11所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,交替配置所述第一金属膏层和第一金属膏层以外的金属膏层。
14.一种陶瓷构件的制造方法,其特征在于,包含:制作经由陶瓷生片层叠含有金属成分M1的多个金属膏层而成的层叠成形体的工序;和烧成该层叠成形体的工序,
金属成分M1相对于含于所述金属膏层中的金属成分总量的质量百分率设为X时,
在所述多个金属膏层中至少一层中,使其一部分的区域的质量百分率X比在层叠方向上相邻的金属膏层的质量百分率X高,使所述一部分的区域中含有陶瓷粉末。
15.如权利要求14所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,使所述一部分的区域的质量百分率X比在层叠方向上相邻的两侧的金属膏层的质量百分率X高。
16.如权利要求14所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,使所述一部分的区域以外的其他区域的质量百分率X与在层叠方向上相邻的金属膏层的质量百分率X相同。
17.如权利要求14所述的陶瓷构件的制造方法,其特征在于,所述金属成分M1为周期表第11族元素,作为其他金属成分含有周期表第10族元素。
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