[发明专利]充电构件、处理盒和电子照相设备有效

专利信息
申请号: 200780007023.3 申请日: 2007-02-23
公开(公告)号: CN101395540A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 黛博志;黑田纪明 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03G15/02 分类号: G03G15/02;C09D183/06
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 充电 构件 处理 电子 照相 设备
【说明书】:

技术领域

本发明涉及充电构件,和具有该充电构件的处理盒和电子照相设备。

背景技术

目前,作为使电子照相感光构件的表面静电充电的方法之一,接触充电法已经投入实际使用。

接触充电法是其中将电压施加到与电子照相感光构件接触放置的充电构件上,以在充电构件和电子照相感光构件之间的接触部分及其附近引起微放电,从而使电子照相感光构件的表面静电充电的方法。

作为使电子照相感光构件的表面充电的充电构件,出于对充分确保电子照相感光构件和充电构件之间的接触辊隙的考虑,通常使用具有支承体和在该支承体上设置的弹性层(导电性弹性层)的充电构件。

弹性层(导电性弹性层)通常包含相对大量的低分子量组分,因此此类低分子量组分可能渗出而污染电子照相感光构件的表面。为了抑制由于该渗出引起的这种污染,还普遍在该导电性弹性层上提供表面层,该表面层具有比该导电性弹性层更低的弹性模量。

作为充电构件的形状,通常采用辊形。下文中,辊形充电构件也称为“充电辊”。

广泛使用的接触充电法是其中将通过将交流电压叠加在直流电压上产生的电压施加到充电构件上的方法(下文中也称为“AC+DC接触充电法”)。在AC+DC接触充电法的情况下,将具有高达充电起始时电压的两倍以上的峰-峰电压的电压用作交流电压。

AC+DC接触充电法是能够进行充电均匀性高的稳定充电的方法,原因在于使用交流电压。然而,与在其中只将直流电压施加于充电构件的方法(以下也称作“DC接触充电法”)相比,在使用交流电压源的范围内,这种方法导致充电组件和电子照相设备的尺寸大和成本增加。

即,就使充电组件和电子照相设备小型化和成本降低而言,DC接触充电法优于AC+DC接触充电法。

作为用于电子照相设备的导电性构件,例如充电构件,提出了具有含有机硅化合物的无机-有机杂化薄膜的导电性构件(参见,例如日本专利申请特许公开2001-173641和2004-210857)。

发明内容

然而,DC接触充电法不具有由于交流电压的改进充电均匀性的效果。因此,充电构件的表面污染(由于调色剂和用于调色剂的外部添加剂)和充电构件本身的电阻不均匀性趋于出现于复制的图像中。

特别地,在DC接触充电法的情况下,经过重复使用,调色剂和用于调色剂的外部添加剂不均匀且强烈地粘附(粘附)于充电构件表面,结果,当在高温和高湿(30℃/80%RH)环境下复制半色调图像时,粘附部分会引起过度充电或不良充电。

本发明的目的是提供充电构件,即使长时间重复使用,调色剂和用于该调色剂的外部添加剂也难以粘附于该充电构件的表面,因此即使当将该充电构件用于DC接触充电法时,该充电构件也能长时间地进行稳定充电和图像复制。本发明的另一个目的是提供具有此种充电构件的处理盒和电子照相设备。

本发明是充电构件,其具有支承体、形成于该支承体上的导电性弹性层和形成于该导电性弹性层上的表面层,其中该表面层包含聚硅氧烷,该聚硅氧烷具有至少一种选自由以下组成的组中的结构:由以下式(1a1)表示的结构、由以下式(1a2)表示的结构、由以下式(1b1)表示的结构和由以下式(1b2)表示的结构。

在该式(1a1)、(1a2)、(1b1)和(1b2)中,X表示一个选自由-O-、-NR12-和-COO-组成的组的官能团;R11表示烃基;R12表示氢原子或烃基;和Z21表示二价有机基团。

本发明还是具有上述充电构件的处理盒和电子照相设备。

根据本发明,提供了充电构件,在该充电构件中,即使在长时间重复使用,也使调色剂和用于该调色剂的外部添加剂向该充电构件表面的固定最小化,因此即使当将该充电构件用于DC接触充电法时,该充电构件也能长时间地进行稳定充电和图像复制。还提供了具有此种充电构件的处理盒和电子照相设备。

附图说明

图1示出了本发明的充电构件的构造的实例。

图2示意性地示出了设置有具有本发明充电构件的处理盒的电子照相设备的构造的实例。

具体实施方式

首先,描述本发明充电构件的构造。

本发明的充电构件具有支承体、形成于该支承体上的导电性弹性层和形成于该导电性弹性层上的表面层。此“表面层”是指该充电构件具有的层中位于充电构件最外表面的层。

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