[发明专利]对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作

权利要求书

1.一种非易失性存储系统，其包含：

多个非易失性存储元件；以及

一个或一个以上管理电路，其与所述多个非易失性存储元件通信，所述一个或一个以上管理电路通过施加读取比较电压至选定字线来从连接至所述选定字线的选定非易失性存储元件读取数据，所述一个或一个以上管理电路施加第一通过电压至第一组非选定字线，同时施加第二通过电压至邻近非选定字线，所述一个或一个以上管理电路结合所述读取比较电压、所述第一通过电压和所述第二通过电压来感测所述选定非易失性存储元件的状况；

其中：所述一个或一个以上管理电路感测关于连接至所述邻近非选定字线的非易失性存储元件的信息，且基于关于所述邻近非易失性存储元件的所述信息而选择是否使用所述第二通过电压。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述一个或一个以上管理电路感测关于连接至所述邻近非选定字线且是所述选定非易失性存储元件的邻近者的非易失性存储元件的信息；

所述一个或一个以上管理电路执行所述施加所述读取比较电压、施加所述第一通过电压、施加所述第二通过电压和感测所述状况的额外迭代，其中在不同迭代期间改变所述第二通过电压；且

所述一个或一个以上管理电路基于所述迭代中与关于所述邻近非易失性存储元件的所述感测信息相关联的一者而确定正被读取的所述非易失性存储元件中所存储的数据。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述一个或一个以上管理电路在针对所述选定非易失性存储元件的编程过程期间感测所述选定非易失性存储元件的所述状况作为检验操作的部分。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述一个或一个以上管理电路感测所述选定非易失性存储元件的所述状况作为读取过程的部分。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述一个或一个以上管理电路确定所述选定非易失性存储元件的邻近者被编程，所述施加所述第二通过电压是响应于所述确定所述邻近者被编程而执行的。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述选定非易失性存储元件包括继针对第一群组数据写入至邻近非易失性存储元件之后相对于第二群组数据而编程的数据。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述一个或一个以上管理电路接收读取数据的请求，所述感测所述选定非易失性存储元件的所述状况是响应于所述读取数据的请求作为读取过程的部分而执行的；且

所述一个或一个以上管理电路基于所述感测来报告所述数据。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述一个或一个以上管理电路接收读取数据的请求；

所述一个或一个以上管理电路响应于所述请求而使用第一读取操作来读取所述数据；

所述一个或一个以上管理电路确定与所述数据相关联的错误的存在；且

所述施加所述读取比较电压、施加所述第一通过电压、施加所述第二通过电压和感测所述状况是响应于所述确定所述错误的存在而执行以从所述错误中恢复所述数据；且

所述一个或一个以上管理电路报告所述经恢复的数据。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述多个非易失性存储元件是多状态NAND快闪存储器装置。

10.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述多个非易失性存储元件是多状态快闪存储器装置。

11.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述多个非易失性存储元件是NAND快闪存储器装置。

12.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：

所述一个或一个以上管理电路包括状态机、解码器和读出放大器中的任一者或组合。