[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.半导体装置，其包括：

基板，

安装在基板上的半导体元件，

连接基板和半导体元件的凸块，和

填充凸块周围的底填料，

其中，

凸块包括熔点为230℃或以上的高熔点焊料，

底填料包括125℃时弹性模量30MPa～510MPa的树脂材料，

基板具有含树脂绝缘层与导电互联层交替层压的装配层，每个导电互联层通过绝缘层中的通孔内形成的导电层连接，且

在25℃至玻璃转化温度之间，装配层的绝缘层在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下，

其中在25℃至玻璃转化温度之间，底填料与凸块之间的线性膨胀系数差为10ppm/℃或以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体元件包括硅基板、硅基板上设置的层间绝缘膜和层间绝缘膜中设置的引脚，所述层间绝缘膜包括相对介电常数为3.3或以下的低介电层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中在25℃至玻璃转化温度之间，底填料与装配层的绝缘层之间的线性膨胀系数差为25ppm/℃或以下。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

基板具有核心层，核心层具有绝缘层，在所述核心层的绝缘层中形成有通孔，通孔内设有导电层，其中所述导电层与装配层的导电互联层之一相连。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中装配层的绝缘层的树脂包括氰酸酯树脂。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述氰酸酯树脂是线性酚醛氰酸酯树脂。

7.半导体装置，其包括：

基板；

安装在基板上的半导体元件，

连接基板和半导体元件的凸块，和

填充凸块周围的底填料，

其中，

凸块包括无铅焊料，

底填料包括125℃时弹性模量为160MPa～510MPa的树脂材料，

基板具有含树脂绝缘层与导电互联层交替层压的装配层，这些导电互联层通过绝缘层中的通孔内形成的导电层连接，且

在25℃至玻璃转化温度之间，装配层的绝缘层在基板面内方向的线性膨胀系数为35ppm/℃或以下，

其中在25℃至玻璃转化温度之间，底填料与凸块之间的线性膨胀系数差为10ppm/℃或以下。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中半导体元件包括硅基板、硅基板上设置的层间绝缘膜和层间绝缘膜中设置的引脚，所述层间绝缘膜包括相对介电常数为3.3或以下的低介电层。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中在25℃至玻璃转化温度之间，底填料与装配层的绝缘层之间的线性膨胀系数差为25ppm/℃或以下。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中基板具有核心层，核心层具有绝缘层，在所述核心层的绝缘层中形成有通孔，通孔内设有导电层，其中所述导电层与装配层的导电互联层之一相连。

11.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中装配层的绝缘层的树脂包括氰酸酯树脂。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述氰酸酯树脂是线性酚醛氰酸酯树脂。