[发明专利]具有线性磁通密度的磁体有效
申请号: | 200780007282.6 | 申请日: | 2007-01-03 |
公开(公告)号: | CN101395681A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 金时焕 | 申请(专利权)人: | (株)庆东NETWORK |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵 军;张 瑾 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 线性 密度 磁体 | ||
1.一种具有线性磁通密度的磁体,所述磁体被用于测量距离的传感器中, 其特征在于:所述磁体被配置成具有矩形形状,所述磁体的N极和S极以正弦 波的形式从所述具有矩形形状的磁体的边缘沿着对角线方向被磁化。
2.如权利要求1所述的磁体,其特征在于:构成所述磁体的N极或S极 根据沿直线变化的距离的变化而产生线性磁通密度,所述直线相距所述磁体的 N极或S极的表面一预定距离并与所述磁体的N极或S极的表面平行。
3.如权利要求2所述的磁体,其特征在于:所述磁通密度由构成所述磁体 的N极或S极产生,并随所述磁体的N极或S极的表面线性地变化。
4.如权利要求1-3中任一所述的磁体,其特征在于:所述磁通密度由构成 所述磁体的N极或S极产生,由基于沿直线变化的距离的传感器测量,所述直 线相距所述磁体的N极或S极的表面一预定距离,并与所述磁体的N极或S 极的表面平行,所述磁通密度随距离的变化而保持线性。
5.一种具有线性磁通密度的磁体,所述磁体被用于测量距离的传感器中, 其特征在于:所述磁体被配置成该磁体的S极的右表面高度大于该磁体的S极 的左表面高度以及该磁体的N极的右表面高度大于该磁体的N极的左表面高 度,并且所述N极的左表面与所述S极的左表面排列对齐,所述N极的右表面 与所述S极的右表面排列对齐,并且该磁体被配置成其顶表面倾斜,所述磁体 被配置成具有矩形形状。
6.如权利要求5所述的磁体,其特征在于:构成所述磁体的N极或S极 根据沿直线变化的距离的变化而产生线性磁通密度,所述直线形成于点A与多 个任意点B之间,其中所述点A与所述多个任意点B分别远离所述磁体的N 极或S极的表面一预定距离,并且其中所述点A被设置于远离所述磁体右表面 的上端,所述多个任意点B被设置于远离所述磁体左表面的上端,所述多个任 意点B相对于点A形成不同的角度。
7.如权利要求6所述的磁体,其特征在于:构成所述磁体的N极或S极 被磁化成使得所述磁体的左表面和右表面的相应宽度比为1~2∶2~4。
8.如权利要求7所述的磁体,其特征在于:所述磁体的所述磁通密度随所 述磁体的N极或S极的表面线性地变化。
9.如权利要求5-8中任一所述的磁体,其特征在于:所述磁体的所述磁通 密度由基于沿着直线变化的距离的传感器测量,所述直线形成于点A与多个任 意点B之间,其中所述点A与所述多个任意点B分别远离所述磁体的N极或S 极的表面一预定距离,并且其中所述点A被设置于远离所述磁体右表面的上端, 所述多个任意点B被设置于远离所述磁体左表面的上端,所述多个任意点B相 对于点A形成不同的角度,所述磁通密度随距离的变化而保持线性。
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