[发明专利]二次电池和其制造方法以及系统

权利要求书

1.二次电池，其特征包括：在表面粗糙度RMS为0.8μm或以下的导电性薄片基板上形 成，由正极活性物质层，电解质层，负极活性物质层形成的顺序叠层，或者由负极活性物 质层，电解质层，正极活性物质层形成的顺序叠层；所述薄片基板上的直径0.15μm或以 上的析出物在5000个/mm²或以下。

2.根据权利要求1记载的二次电池，其特征包括：上述薄片基板的表面粗糙度RMS为 0.1μm～0.5μm。

3.根据权利要求1到2中任意1项记载的二次电池，其特征包括：上述薄片基板包含 用不锈钢薄膜覆盖有机薄膜的两个面的导电性薄膜。

4.根据权利要求1到2中任意1项记载的二次电池，其特征包括：上述薄片基板是表 面没有氧化物的基板。

5.根据权利要求1到2中任意1项记载的二次电池，其特征包括：上述电解质层包括 固体电解质。

6.根据权利要求1到2中任意1项记载的二次电池，其特征包括：上述各层的一部分 或全部是通过真空成膜法形成的层。

7.根据权利要求1到2中任意1项记载的二次电池，其特征包括：上述薄片基板的两 面上具有1个或多个电池。

8.根据权利要求1到2中任意1项记载的二次电池，其特征包括：多个电池被串联地 叠层以使电池的正极活性物质层和其他电池的负极活性物质层相互接近。

9.根据权利要求8记载的二次电池，其特征包括：集电电极介于多个电池之间。

10.根据权利要求7记载的二次电池，其特征包括：集电电极不介于多个电池之间。

11.二次电池系统，其特征是：将根据权利要求1到10的任意1项记载的二次电池以 并联形式堆砌而成。

12.二次电池系统，其特征是：将根据权利要求1到10的任意1项中记载的二次电池 以串联形式堆砌而成。

13.根据权利要求11中记载的二次电池系统，其特征包括：至少在最上层设置集电器， 并且仅从上述薄片基板，或仅从上述薄片基板和最上层的上述集电器向外部抽出导线。

14.根据权利要求12中记载的二次电池系统，其特征包括：至少在最上层设置集电器， 并且仅从最下层的上述薄片基板和最上层的上述集电器向外部抽出导线。

15.根据权利要求11到14中任意1项记载的二次电池系统，其特征包括：通过(1) 物理地直接接触，(2)涂覆在相对的一个面或两个面上的导电胶，或者(3)使用导电片来 确保上述薄片基板和二次电池的最上层的电接触。

16.二次电池的制造方法，其特征包括：在表面粗糙度RMS为0.8μm或以下的导电性 薄片基板上，将正极活性物质层，电解质层，负极活性物质层的各层，或负极活性物质层， 电解质层，正极活性物质层的各层按顺序叠层的工艺；所述薄片基板上的直径0.15μm或 以上的析出物在5000个/mm²或以下。

17.根据权利要求16中记载的二次电池的制造方法，其特征包括：上述薄片基板的表 面粗糙度RMS为0.1μm～0.5μm。

18.根据权利要求16到17中任意1项记载的二次电池的制造方法，其特征是：上述薄 片基板是包含用不锈钢薄膜覆盖有机薄膜的两个面的导电性薄膜。

19.根据权利要求16到17中任意1项记载的二次电池的制造方法，其特征是：从上述 薄片基板的表面除去自然氧化膜之后再形成各层。

20.根据权利要求16到17中任意1项记载的二次电池的制造方法，其特征是：上述电 解质层包含固体电解质。

21.根据权利要求16到17中任意1项记载的二次电池的制造方法，其特征包括：上述 各层的一部分或全部是通过真空成膜法形成的。