[发明专利]基于直接石英键合的石英声表面波传感器

权利要求书

其中主张了专有财产和权利的本发明的实施例被如下限定。因而已说明了本发明，其主张权益即：

1.一种方法，包括：

加工石英盖晶片以生成传感器凹陷图形和条带凹陷图形，其中传感器凹陷图形包括多个传感器凹陷，其中条带凹陷图形包括多个条带，且其中条带凹陷图形与传感器空腔图形垂直且对准；

加工声表面波石英晶片以产生包括多个声表面波传感器的声表面波传感器图形；

对准石英盖晶片和声表面波石英晶片，从而使得所述多个声表面波传感器与所述多个传感器凹陷对准；

对石英盖晶片和声表面波石英晶片进行直接石英键合，从而使得所有重合的石英表面键合到一起且其中多个声表面波传感器被密封在多个传感器凹陷内，由此生成晶片串联；

通过深蚀刻声表面波石英晶片释放石英膜片，其中仅声表面波石英晶片的一侧可以被蚀刻，因为另一侧键合到石英盖晶片，其在串联的周缘处具有连续的键合区、且具有淀积在晶片串联的所有区域上的金属层掩模，所述的晶片串联在深石英蚀刻期间需要保护；

将所述多个条带从石英盖晶片移除；和

对晶片串联切片以生成多个被覆盖的声表面波传感器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过沿条带的边缘切割，所述的多个条带从石英盖晶片移除。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在石英盖晶片上产生至少一个对准标记，从而使得可定位条带的边缘。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过一系列步骤执行直接石英键合，所述步骤包括等离子体处理待键合的石英表面、和将经过等离子体处理的表面压到一起。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，通过一系列步骤执行直接石英键合，所述步骤包括在待键合表面上形成硅烷醇族、将待键合表面压到一起、随后加热。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在石英盖晶片上生成至少一个对准标记，从而使得可定位条带的边缘。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过一系列步骤执行直接石英键合，所述步骤包括等离子体处理待键合的石英表面、和将经等离子体处理的表面压到一起。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过一系列步骤执行直接石英键合，所述步骤包括在待键合表面上形成硅烷醇族、将待键合表面压到一起、和随后加热。

9.一种方法，包括：

加工石英盖晶片以生成传感器凹陷图形和条带凹陷图形，其中传感器重叠图形包括多个传感器凹陷，其中条带凹陷图形包括多个条带，且其中条带凹陷图形与传感器空腔图形垂直且对准；

加工声表面波石英晶片以产生包括多个声表面波传感器的声表面波传感器图形；

对准石英盖晶片和声表面波石英晶片，从而使得所述多个声表面波传感器与所述多个传感器凹陷对准；

对石英盖晶片和声表面波石英晶片进行直接石英键合，从而使得所有重合的石英表面键合到一起且其中多个声表面波传感器被密封在多个传感器凹陷内，由此生成晶片串联；

通过深蚀刻声表面波石英晶片释放石英膜片，其中仅声表面波石英晶片的一侧可以被蚀刻，因为另一侧键合到石英盖晶片，其中晶片串联的周缘在整个边缘上被连续地键合，且其中石英盖晶片的外表面和声表面波石英晶片的残存后侧被金属掩模层保护；

将所述多个条带从石英盖晶片切除；

对晶片串联进行切片以生成多个被覆盖的声表面波传感器；

图形化基片以生成至少一个天线，所述天线电连接到至少一个键合焊盘；

将多个被覆盖的声表面波传感器的一个附着到基片，其中声表面波传感器被键合到所述至少一个键合焊盘中的至少一个，以生成声表面波传感器模块；

密封声表面波传感器模块。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括凝胶填充声表面波传感器模块。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在石英盖晶片上生成至少一个对准标记，从而使得可定位条带。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，通过一系列步骤执行直接石英键合，所述步骤包括等离子体处理待键合的石英表面、和将经等离子体处理的表面压到一起。