[发明专利]表面等离子体共振传感器用芯片和表面等离子体共振传感器

权利要求书

1.一种表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

该表面等离子体共振传感器用芯片由如下部分构成：

光波导，其形成有芯；

测定区域，其形成于所述芯上；以及

分光构件，其对在所述芯内传播并被所述测定区域反射的光进行分解，

所述测定区域由形成于所述芯上的金属层和形成于所述金属层上的介电质层构成，

所述测定区域为多个，且各所述测定区域的所述介电质层之中的至少一部分的厚度互不相同，其中，包括厚度为0的情况，

所述分光构件由折射率与所述芯的折射率相同的材料形成，并且配置成与所述芯的一部分紧密结合，

所述介电质层的厚度相互之间存在10nm以上的差异。

2.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

该表面等离子体共振传感器用芯片具有多个所述金属层，多个金属层隔着预定距离进行配置，

在各所述金属层上分别形成有所述介电质层。

3.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

所述光波导形成有多根所述芯，在各芯上分别形成有所述测定区域。

4.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

各所述介电质层的所述芯的长度方向上的长度D为D≥2×T×tanθ，其中，T为所述芯的厚度，θ为在芯内传播的光对所述测定区域的入射角。

5.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

该表面等离子体共振传感器用芯片还具备感光元件，该感光元件具有对由所述分光构件分解的不同波长的光进行接收的多个感光区域。

6.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

在各所述测定区域上固定有互不相同的分子识别功能物质。

7.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

所述金属层由Au、Ag或Cu构成。

8.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

所述介电质层由高介电常数材料构成。

9.根据权利要求8所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

所述介电质层为Ta₂O₅或TiO₂。

10.根据权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，其特征在于，

所述介电质层为高折射率树脂。

11.一种表面等离子体共振传感器，其特征在于，

该表面等离子体共振传感器由如下部分构成：

权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片；

设置于所述芯的一端面侧的光源；

设置于所述光源和所述芯之间的光路转换构件；

设置于所述芯的一部分上的分光构件；

感光元件，

从所述光源射出的光借助于所述光路转换构件调节成预定角度，导入到所述芯内，

在所述芯内传播的光在所述测定区域进行反射，

从所述芯输出的光被所述分光构件分解，

分解出的光被所述感光元件接收。

12.根据权利要求11所述的表面等离子体共振传感器，其特征在于，

所述光源为多波长光源。

13.根据权利要求11所述的表面等离子体共振传感器，其特征在于，

经各所述测定区域反射的光的特征波长相互错开100nm以上。

14.一种表面等离子体共振传感器用芯片的制作方法，该方法用于制作权利要求1所述的表面等离子体共振传感器用芯片，

该表面等离子体共振传感器用芯片的制作方法的特征在于，

利用形成有多个不同深度的凹部的模具，挤压供给到所述金属层上的介电质树脂材料，从而由所述介电质树脂材料形成多个厚度不同的介电质层。