[发明专利]导电性糊及太阳电池

说明书

技术领域

本发明涉及作为在太阳电池的受光面电极中使用的导电性材料的导电性糊，更具体来说，涉及含有Ag粉末和硅酸玻璃系玻璃料的导电性糊及形成有使用了该导电性糊的受光面电极的太阳电池。

背景技术

以往，在使用了Si半导体的太阳电池中，使用在p型Si系半导体层的上表面形成有n型Si系半导体层的半导体基板。在该半导体基板的一面形成有受光面电极，另一面形成有背面电极。

以往，受光面电极通过烧接含有金属粉末的导电性糊而形成。作为这样的导电性糊，例如，在下述专利文献1中，公开有含有Ag粉末、玻璃料、和有机载色剂的导电性糊。

玻璃料为了提高烧成导电性糊而得到的受光面电极、和半导体基板的粘接强度而发挥作用。为了得到高的粘接强度，作为玻璃料，优选使用低软化点的玻璃粉末。在专利文献1中，作为这样的玻璃粉末，示出了适当使用B—Pb—O系、B—Si—Pb—O系、B—Si—Bi—Pb—O系、B—Si—Zn—O系玻璃料等的意思，在其具体实施例中，示出了使用了Pb—B—Si—O系玻璃料及B—Si—Zn—O系玻璃料的例子。

专利文献1：日本特开2001—118425号公报

含有Pb的玻璃料的熔点较低。从而，即使在加热为低的温度而烧成的情况下，也能够有效地提高半导体基板和受光面电极的粘接强度。然而，Pb为有害物质，因此，寻求使用代替其的材料。

在专利文献1中，作为玻璃料，如上所述，除了记载有Pb—B—Si—O系玻璃料之外，还记载有B—Si—Zn—O系玻璃料。然而，在专利文献1中，仅对玻璃料进行了如上所述的记载，没有关于该玻璃料示出任何具体组成。

在使用导电性糊形成太阳电池的受光面电极的情况下，如上所述，即使在以比较低的温度烧成的情况下，也能够充放电提高半导体电极和受光面电极的接合强度，而且，强烈寻求不含有Pb之类有害的物质的导电性糊。

发明内容

本发明的目的在于鉴于上述以往技术的现状，提供使用即使在以比较低的温度烧成的情况下，也能够有效地提高受光面电极和半导体基板的粘接强度，而且，能够降低两者间的接触电阻，进而，使用不含有对环境有害的Pb的玻璃料的导电性糊、及使用该导电性糊形成有受光面电极的太阳电池。

根据本申请的第一方面可知，提供一种导电性糊，其作为太阳电池的受光面电极用材料使用，其特征在于，含有Ag粉末、有机载色剂和玻璃料，所述玻璃料的软化点为570℃以上且760℃以下，且该玻璃料以按摩尔比计的B₂O₃/SiO₂比例成为0.3以下的方式含有B₂O₃及SiO₂，且不含有Bi₂O₃。

根据本申请的第二发明可知，提供一种导电性糊，其作为太阳电池的受光面电极用材料使用，其特征在于，含有Ag粉末、有机载色剂和玻璃料，所述玻璃料的软化点为570℃以上且760℃以下，所述玻璃料以按摩尔比计的B₂O₃/SiO₂比例成为0.3以下的方式含有B₂O₃及SiO₂，且含有小于20.0mol％的Bi₂O₃。

即，本发明(适当总称为第一、第二发明为本发明)，其特征在于，含有Ag粉末、有机载色剂和玻璃料，玻璃料的软化点为570℃～760℃的范围，且玻璃料含有SiO₂，根据需要含有Bi₂O₃，B₂O₃/SiO₂按摩尔比计为0.3以下。

另外，优选上述玻璃料以Al₂O₃为15mol％以下，TiO₂为0～10mol％以下，CuO为0～15mol％以下的比例，还含有Al₂O₃、TiO₂及CuO。

在本发明的导电性糊的其他特定的方面，除了所述玻璃料外，还含有选自ZnO、TiO₂、ZrO₂的至少一种添加剂。

在本发明的导电性糊的进而其他特定的方面，除了所述玻璃料外，以树脂酸盐的形态还含有选自Zn、Bi及Ti的至少一种金属或该金属的金属化合物作为添加剂。