[发明专利]稠环化合物的制备方法无效
申请号: | 200780007997.1 | 申请日: | 2007-03-09 |
公开(公告)号: | CN101395160A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 三浦雅博;佐藤哲也;渡边博之;上田将人 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | C07D495/04 | 分类号: | C07D495/04;H01L51/30;B01J31/22;H01L51/50;H01L51/05;C07B61/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱 丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环化 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及稠环化合物的制备方法。
背景技术
由于有机半导体材料适用于有机EL(电致发光)元件、有机晶体管、 有机太阳电池、光传感器等各种有机薄膜元件,所以近年来正在积极地进 行研究。为了在这些用途中获得优异的性能,对有机半导体材料而言,要 求提高电荷(电子或者空穴)输送性。要想获得高的电荷输送性,在有机 半导体材料中,重要的是使用π共轭宽的分子,使分子填料变得良好,进 而提高分子间的相互作用。
作为获得高的电荷输送性的有机半导体材料,可列举多个芳香环或者 杂环共轭结合形成的稠环化合物及其聚合物。其中,已知包含多个噻吩环 的含有噻吩的化合物及其聚合物具有高的电荷输送性(参考专利文献1)。 作为稠环化合物的制备方法,例如,作为含有噻吩化合物的制备方法,公 开了一种使多个噻吩环平面交联的方法(参考非专利文献1—3)。另外, 还已知一种将联二噻吩环用乙烯交联的方法(参考非专利文献4、5)。
专利文献1:日本特开2004—339516号公报
非专利文献1:M.J.Janssen et al.,“J.Org.Chem.”,1971,vol.36,1645.
非专利文献2:X.Li et al.,“J.Am.Chem.Soc.”,1998,vol.120,2206.
非专利文献3:P.Coppo et al.,“Chem.Commun.”,2003,2548.
非专利文献4:W.Archer et al.,“J.Chem.Soc.Perkin Trans.2”, 1983,813.
非专利文献5:S.Yosida et al.,“J.Org.Chem.”,1994,vol.59,3077.
发明内容
但是,在上述现有技术的制备方法中,还存在很难高效率地获得具有 优异的电荷输送性的稠环化合物的趋势。另外,稠环化合物往往在形成有 机薄膜时溶于溶剂后使用,而由上述制备方法得到的稠环化合物大多数对 溶剂的溶解性不足。
因此,本发明是鉴于这样的事实而提出的,目的是提供可以高效地获 得具有优异的电荷输送性,同时对溶剂的溶解性优异的稠环化合物的稠环 化合物的制备方法。
为了实现上述目的,本发明的稠环化合物的制备方法,其特征在于, 在胺和金属络合物催化剂的存在下,使下述通式(1a)表示的化合物和下 述通式(1b)表示的化合物反应,获得下述通式(1c)表示的稠环化合物。
[式中,Ar11和Ar12分别独立地表示构成可以具有取代基的芳香环或者 可以具有取代基的杂环的原子群。X11和X12分别独立地表示氢原子或者卤 原子。其中,X11和X12的至少一个是卤原子。R11和R12分别独立地表示 氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、烷基氨基、烷氧基羰基、可以具有取代 基的芳基、可以具有取代基的杂环基或者氰基。其中,R11和R12的至少一 个不是氢原子。]
根据上述制备方法,由于仅使通式(1a)的化合物和通式(1b)的化 合物反应产生稠环化合物,就已经可以高效地获得稠环化合物了。另外, 由于得到的稠环化合物具有由三个芳香环结构稠合而π共轭宽的结构,所 以可以在形成有机薄膜等时发挥高的电荷输送性。此外,由于该稠环化合 物具有在中心的苯环结构上引入取代基的结构,所以对溶剂等的溶解性变 得良好。
特别地,本发明的稠环化合物的制备方法优选在胺和金属络合物催化 剂的存在下,使下述通式(2a)表示的化合物和下述通式(2b)表示的化 合物反应,获得下述通式(2c)表示的稠环化合物的方法。
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