[发明专利]溅射靶有效

专利信息
申请号: 200780008001.9 申请日: 2007-02-26
公开(公告)号: CN101395296A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 尤金·Y·伊瓦诺夫;袁永文;戴维·B·斯马瑟斯;罗纳德·G·乔丹 申请(专利权)人: 陶斯摩有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋 莉
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 溅射
【权利要求书】:

1.溅射靶,包括Al合金和由Ni组成的第二元素,所述Al具有至少99.999 重量%的纯度,所述Al与Si合金化,所述Ni以0.2ppm-10ppm的量存在, 其中Si以30ppm的量存在。

2.权利要求1的溅射靶,所述Ni以4ppm的量存在。

3.权利要求1的溅射靶,具有比无Ni的Al-30ppmSi靶高60℃的重结晶 温度。

4.权利要求2的溅射靶,具有2.71微欧姆·厘米的电阻率。

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